Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

Następnie, implantowane kryształy zostały pocięte wzdłuż krawędzi o największejłupliwości () na mniejsze kawałki o średnich wymiarach 5×5×0,5 mm. W celumodyfikacji struktury defektowej Si:Mn, poszczególne kawałki poddano wygrzewaniuw wysokiej temperaturze (maksymalnie 1270 K), w warunkach ciśnienia hydrostatycznegoodpowiadającego ciśnieniu atmosferycznemu (wygrzewanie w azocie lub argonie,p A = 10 5 Pa) lub podwyższonego ciśnienia hydrostatycznego (w atmosferze argonu,p A = 1.1×10 9 Pa). Czas wygrzewania wynosił 1 – 10 h. Opisana obróbka termiczna wykonanazostała w Instytucie Technologii Elektronowej (ITE) w Warszawie. Otrzymano w ten sposóbszereg próbek dla dalszych badań, z których każda różniła się od pozostałych metodą wzrostu,temperaturą podłoża podczas implantacji i/lub warunkami wygrzewania.Rys. 2.1. Przekrój przez próbkę Si:Mn – schemat ideowy.2.1. Wpływ procesu implantacji na strukturę próbek Si:MnImplantacja jonowa jest szeroko stosowaną metodą domieszkowania materiałówpolegająca na bombardowaniu powierzchni kryształu przyspieszoną w polu elektrycznymwiązką jonów [41,42]. Metoda ta, oprócz wysokiej precyzji dawkowania, daje takżemożliwość uzyskania określonych rozkładów przestrzennych zaimplantowanych atomów.Głębokość wnikania jest funkcją początkowej energii kinetycznej jonu bombardującego (jonudomieszki) i własności materiału bombardowanego (tzw. tarczy) i jest określona przezwzajemne oddziaływanie między jonem a tarczą (w przybliżeniu nie zależy od temperaturyi czasu) [4]. Tzw. projektowany zasięg R p („projected range”) jonu o energii początkowej E 0wynosi:- 13 -