WpÅyw warunkÃ³w wygrzewania na strukturÄ defektowÄ krzemu ...

More documents

Recommendations

Info

na to, że przyczyną takiego stanu jest przemieszczanie się manganu w kierunku powierzchnilub/i rekrystalizacja nanobloków Si.8.3. Podsumowanie wyników badań rozkładu naprężeń w próbkach Si:MnPrzeprowadzono analizę stanu naprężeń w badanych próbkach Si:Mn. Określonojeden podstawowy profil naprężeniowy, wspólny dla większości próbek wygrzewanychw temperaturach do 870 K. Zaobserwowano także odmienne zachowanie się próbek Cz-Siimplantowanych Mn + do zimnego podłoża w postaci zmiany profilu odkształceń komórekmatrycy. Dla obu przypadków (ogólnego i szczególnego) przeprowadzono dopasowaniakrzywej teoretycznej I(2θ/ω) do krzywej doświadczalnej, co pozwoliło na omówienie stanunaprężeń w próbkach Si:Mn. Najważniejsze wnioski wyszczególnione zostały w rozdziale8.2.4.- 102 -
9. Pomiary namagnesowania próbek Si:MnPrzy użyciu aparatury SQUID przeprowadzono pomiary namagnesowania próbekSi:Mn w funkcji przyłożonego zewnętrznego pola magnetycznego. Otrzymane wynikiopisujące własności magnetyczne próbek Si:Mn w zależności od metody wzrostu podłoża,parametrów implantacji oraz poimplantacyjnego wygrzewania, umożliwiły podjęcie próbyodpowiedzi na pytanie jakie czynniki decydują o magnetyzmie badanych próbek.9.1. Magnetometr SQUIDNadprzewodnikowy interferometr kwantowy SQUID („Superconducting QuantumInterference Device”) użyty do pomiarów próbek Si:Mn, zbudowano w Instytucie FizykiPAN, w zespole ON1.2. Charakteryzuje się bardzo wysoką czułością pomiaru momentumagnetycznego, sięgającą 5×10 -7 emu [102]. Wartość przyłożonego pola magnetycznego Hosiąga ±4000 Oe.Magnetometr SQUID składa się z następujących elementów [102]: Układu kriostatów wypełnionych azotem i helem, wyposażonego w piecyk elektrycznyi stabilizator temperatury. Umożliwia wykonywanie pomiarów w dużym zakresietemperatur (1,5 – 300 K). Układu wytwarzającego jednorodne zewnętrzne pole magnetyczne, w postaci cewkinadprzewodzącej. Wartość pola magnetycznego H wyznaczana jest na podstawienatężenia prądu płynącego przez cewkę. Układu detekcji o bardzo wysokiej czułości, którego najważniejszymi elementami sącewki detekcyjne i czujnik SQUID chłodzony helem. Układu sterującego położeniem próbki względem cewek detekcyjnych, w postaci uchwytuporuszanego przy pomocy silnika krokowego. Konsoli sterującej urządzeniem i parametrami pomiaru.Zmiana położenia próbki, do której przyłożono pole magnetyczne wywołuje zmianęstrumienia indukcji magnetycznej w cewkach detekcyjnych. Generujące się na cewcenapięcie, zgodnie z prawem Faradaya, jest proporcjonalne do zmiany strumienia indukcjimagnetycznej cewki w czasie. Powstała w wyniku ruchu siła elektromotoryczna indukcji jestmiarą momentu magnetycznego mierzonej próbki.- 103 -
Page 1:
INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII N
Page 7 and 8:
1. Wprowadzenie do tematyki badań
Page 10 and 11:
zastosowanego w procesie poimplanta
Page 12 and 13:
2. Preparatyka, obróbka oraz proce
Page 14 and 15:
0∫R = S(E)dE(2.1)pE0gdzie: S - zd
Page 16 and 17:
∂cJ = −D(2.2)∂xgdzie: D - wsp
Page 18 and 19:
yć wygięcie bloku krystalicznego,
Page 20:
Stosowany w naszym eksperymencie uk
Page 24 and 25:
natomiast drugi, w pozycji 53,58°,
Page 26 and 27:
i 1270 K pojawiają się dodatkowe
Page 28 and 29:
Rys. 3.8. Dyfraktogramy próbek Cz-
Page 30 and 31:
z odpowiadającymi im krzywymi dla
Page 32 and 33:
Fz-Si:Mn (T S = 610 K), po wygrzani
Page 34 and 35:
3.4.1. Parametry sieci wydzieleń M
Page 36 and 37:
zastosowanego ciśnienia hydrostaty
Page 38 and 39:
4. Badania próbek Si:Mn z zastosow
Page 40 and 41:
to ilość wystarczająca dla uzysk
Page 42 and 43:
4.2.2. Wpływ temperatury wygrzewan
Page 44 and 45:
Rys. 4.5. Profile głębokościowe
Page 46 and 47:
Rys. 4.7. Profile głębokościowe
Page 48 and 49:
Profile głębokościowe Mn dla pr
Page 50 and 51:
5. Badanie struktury defektowej Si:
Page 52 and 53: W praktyce dużo wygodniejsze jest
Page 54 and 55: Dyfraktometr Philips MRD wyposażon
Page 56 and 57: zachodzi zjawisko dyfrakcji, można
Page 58 and 59: dyfrakcyjnej. Pomiar krzywej odbić
Page 60 and 61: Rys. 5.9. Schemat mapowania węzła
Page 62 and 63: Występowanie defektów punktowych
Page 64 and 65: temperatury, a także ciśnienia. R
Page 66 and 67: Rys. 5.12. Mapy węzła 004 sieci o
Page 68 and 69: w płaszczyznach {110} dość dobrz
Page 74 and 75: Wykonane symulacje numeryczne map w
Page 76 and 77: Rys. 6.1. Ogólny schemat budowy tr
Page 78 and 79: próbkom wygrzewanym w ciśnieniu p
Page 80 and 81: o wielkości do kilkudziesięciu nm
Page 82 and 83: (a) (b) (c)Rys. 6.5. Zdjęcia TEM d
Page 84 and 85: → →Π (m, n) - bezwymiarowy czy
Page 86 and 87: Zmienna C jest tzw. „siłą” de
Page 88 and 89: Wilsona był obecny. Zatem podjęto
Page 90 and 91: Obliczone i przedstawione w tabeli
Page 92 and 93: propagacji promieniowania rentgenow
Page 94 and 95: Si:Mn, pokazano, że dla próbek ni
Page 96 and 97: Rys. 8.1. Dyfraktogramy I(2θ/ω) w
Page 98 and 99: Rys. 8.4. Dyfraktogramy I(2θ/ω) w
Page 100 and 101: Rys. 8.5. Dyfraktogram I(2θ/ω) wo
Page 104 and 105: 9.2. Wyniki pomiarów magnetycznych
Page 106 and 107: Rys. 9.3. Krzywe namagnesowania (zn
Page 108 and 109: Rys. 9.4. Krzywe namagnesowania (be
Page 110 and 111: wynika, że parametry sieci wydziel
Page 112 and 113: emitowanego promieniowania charakte
Page 114 and 115: Ważną obserwacją okazało się,
Page 116 and 117: którym określono liczbę, rodzaj
Page 118 and 119: Badanie rentgenowskiego rozpraszani
Page 120 and 121: Literatura[1] T. Dietl, Postępy Fi
Page 122 and 123: [38] J. Bak-Misiuk, P. Romanowski,
Page 124 and 125: [73] M. A. Krivoglaz, „Theory of
Page 126 and 127: [113] M. Klepka, „Wyznaczanie sk
Page 128 and 129: 10. A. Misiuk, A. Barcz, J. Bąk-Mi
Page 130: 27. E. Dynowska, J. Bąk-Misiuk, P.
show all

WpÅyw warunkÃ³w wygrzewania na strukturÄ defektowÄ krzemu ...

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?

WpÅyw warunkÃ³w wygrzewania na strukturÄ defektowÄ krzemu ...