Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

Fz-Si:Mn (T S = 610 K), po wygrzaniu w temperaturze 870 K i czasie 10 h (rys. 3.13, krzywa(b)), w zestawieniu z próbką wygrzaną w czasie 1 h (krzywa (a)).Warto przyjrzeć się jeszcze krzywym (c) i (d) z rysunków 3.12 i 3.13, czylidyfraktogramom uzyskanym dla próbek Cz-Si (rys. 3.12) i Fz-Si (rys. 3.13), implantowanychMn + do gorącego podłoża, a następnie wygrzanych w temperaturze 1270 K i w czasach 1 h(na obu rysunkach krzywe (c)) oraz 5 h (krzywe (d)). Z rozdziału 3.3.3 i 3.3.4 wiemy,że dla próbek implantowanych do gorącego podłoża, wygrzewanie w temperaturze 1270 Kwpływa słabiej na kreację Mn 4 Si 7 , niż wygrzewanie w temperaturze 1070 K. Analizująckrzywe dla próbek wygrzanych w czasie 5 h, na których piki od fazy Mn 4 Si 7 są praktycznieniewidoczne, możemy wywnioskować, że wydłużony czas wygrzewania tym bardziejnie wpływa pozytywnie na kreację tej fazy w temperaturze 1270 K.3.4. Uwagi dotyczące pomiarów i identyfikacji wydzieleń Mn 4 Si 7Identyfikacja wydzieleń fazy Mn 4 Si 7 oraz polikrystalicznego Si przeprowadzonazostała przez porównanie obserwowanych refleksów z dyfraktogramami z bazy danych[54,55], gdzie podane są zarówno położenia linii dyfrakcyjnych, jak i ich względneintensywności. Mając do czynienia z bardzo małą ilością identyfikowanej fazy, tak jak to mamiejsce zwłaszcza w przypadku wydzieleń Mn 4 Si 7 , należy się spodziewać przede wszystkimrefleksów najsilniejszych.Na rysunku 3.14 pokazano dyfraktogram teoretyczny sporządzony na podstawie bazydanych [55], gdzie pozycje pików obliczone zostały teoretycznie wraz z ich relatywnymiintensywnościami. Na dyfraktogramie tym uwzględniono jedynie najsilniejsze refleksy,tzn. takie, których teoretycznie wyznaczona intensywność stanowi przynajmniej kilkanaścieprocent intensywności najsilniejszego piku. Są to refleksy, które przypuszczalnie jesteśmyw stanie zarejestrować znanymi metodami dyfrakcyjnymi, korzystając z promieniowaniasynchrotronowego. Wykres przedstawiony jest w skali liniowej. Pozycje kątowe obliczone sądla długości fali promieniowania Cu Kα 1 (λ = 1.54056 Å).- 32 -