Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

gwałtownie spada wraz z głębokością, aż do osiągnięcia stabilnej, szczątkowej wartościprzy głębokości ok. 220 nm (krzywa (d)). Obserwowane procesy dyfuzji z pewnością majązwiązek z faktem, że struktura jest bardzo nieuporządkowana, ze względu na powstawaniepolikrystalicznego Si. Silne zdefektowanie pozwala na łatwiejsze przemieszczanie się jonówna zewnątrz próbki.4.2.3. Wpływ temperatury wygrzewania na profile głębokościowe Mn dla próbekCz-Si:Mn (implantacja do gorącego podłoża)Odmienna sytuacja ma miejsce w przypadku próbek Cz-Si implantowanych Mn +do gorącego podłoża (T S = 610 K). Profile głębokościowe Mn dla tych próbek wygrzanychw różnych temperaturach, pokazane są na rysunku 4.5.Profil głębokościowy Mn dla próbek wygrzewanych w temperaturach T A = 870 K(rys. 4.5, krzywa (b)) i T A = 1070 K (krzywa (c)) wygląda bardzo podobnie do profiludla próbki niewygrzanej (krzywa (a)). Maksimum koncentracji w obu tych przypadkachnie zmienia swojego położenia. Oznacza to, że dla próbek Cz-Si implantowanych Mn +do gorącego podłoża temperatura wygrzewania nie powoduje zjawiska „out-diffusion”manganu, w takim stopniu jak w przypadku próbek Cz-Si implantowanych Mn + do zimnegopodłoża. Fakt ten wynika z tego, że podczas procesu implantacji następuje rekrystalizacjastruktury, co utrudnia zjawisko dyfuzji. Poza tym mangan dużo silniej niż w przypadkupróbek implantowanych do zimnego podłoża łączy się w wydzielenia Mn 4 Si 7 stając się silniezwiązany, co także zapobiega dyfuzji.Po wygrzewaniu w temperaturze T A = 1270 K widać jednak spadek intensywnościzwiązany z wydyfundowaniem manganu z kryształu (krzywa (d)), co może wskazywać na to,że w tym przypadku może mieć miejsce utrudniona kreacja wydzieleń oraz zaburzeniestruktury krystalicznej spowodowane zastosowaniem bardzo wysokiej temperatury.Oczywiście sama wysoka temperatura zdecydowanie ułatwia przemieszczanie sięatomów/jonów, ale efekt ten widać dopiero w 1270 K.- 43 -