WpÅyw warunkÃ³w wygrzewania na strukturÄ defektowÄ krzemu ...

More documents

Recommendations

Info

Rys. 8.1. Dyfraktogramy I(2θ/ω) wokół węzła 004 Si dla niewygrzewanych („as-implanted”) próbek Si:Mn:Cz-Si:Mn, T S = 340 K (a); Cz-Si:Mn, T S = 610 K (b); Fz-Si:Mn, T S = 610 K (c).Jak wspomniano wcześniej, o tym, że pewne naprężenia występują, świadczy dużaasymetria refleksu 004 Si (rys. 8.1) wskazująca na rozrzut parametru sieci matrycy. W istocieasymetria ta, znajdująca się tylko po stronie mniejszych kątów 2θ, jest nałożeniem się odbićod wielu cienkich warstw o zmierzonym większym parametrze sieciowym niż podłoże.Parametr, o którym jest mowa, to parametr sieciowy mierzony prostopadle do odbijającejpłaszczyzny krystalograficznej, równoległej do powierzchni próbki (refleks symetryczny004). Jeśli proces implantacji przebiega w taki sposób, że jony wstrzeliwane są prostopadledo powierzchni próbki (wzdłuż osi z), wtedy największe odkształcenia komórki elementarnejmatrycy pojawiają się właśnie wzdłuż tej osi z. Badania własne pokazały z kolei, że wzdłużosi x i y komórki nie ulegają odkształceniu spowodowanemu implantacją jonową, bądźteż odkształcenie to jest bardzo małe [100].8.2.3. Krzywe I(2θ/ω) dla wygrzanych próbek Si:MnRysunki 8.2, 8.3 i 8.4 przedstawiają krzywe dyfrakcyjne I(2θ/ω) odpowiedniodla kryształów Cz-Si implantowanych Mn + do zimnego podłoża, Cz-Si implantowanychdo gorącego podłoża oraz Fz-Si implantowanych do gorącego podłoża. Na każdymz wykresów pokazane są dyfraktogramy dla próbek wygrzewanych w czasie t A = 1h, ciśnieniup A = 10 5 Pa i temperaturach: T A = 610 K (a), 870 K (b). Dla porównania umieszczono także- 96 -
krzywe bez asymetrii piku 004 Si (bez naprężeń), otrzymane dla próbek wygrzanychw 1070 K (c).Rys. 8.2. Dyfraktogramy I(2θ/ω) wokół węzła 004 Si dla próbek Cz-Si:Mn (T S = 340 K):T A = 610 K (a); T A = 870 K (b); T A = 1070 K (c).Rys. 8.3. Dyfraktogramy I(2θ/ω) wokół węzła 004 Si dla próbek Cz-Si:Mn (T S = 610 K):T A = 610 K (a); T A = 870 K (b); T A = 1070 K (c).- 97 -
Page 1:
INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII N
Page 7 and 8:
1. Wprowadzenie do tematyki badań
Page 10 and 11:
zastosowanego w procesie poimplanta
Page 12 and 13:
2. Preparatyka, obróbka oraz proce
Page 14 and 15:
0∫R = S(E)dE(2.1)pE0gdzie: S - zd
Page 16 and 17:
∂cJ = −D(2.2)∂xgdzie: D - wsp
Page 18 and 19:
yć wygięcie bloku krystalicznego,
Page 20:
Stosowany w naszym eksperymencie uk
Page 24 and 25:
natomiast drugi, w pozycji 53,58°,
Page 26 and 27:
i 1270 K pojawiają się dodatkowe
Page 28 and 29:
Rys. 3.8. Dyfraktogramy próbek Cz-
Page 30 and 31:
z odpowiadającymi im krzywymi dla
Page 32 and 33:
Fz-Si:Mn (T S = 610 K), po wygrzani
Page 34 and 35:
3.4.1. Parametry sieci wydzieleń M
Page 36 and 37:
zastosowanego ciśnienia hydrostaty
Page 38 and 39:
4. Badania próbek Si:Mn z zastosow
Page 40 and 41:
to ilość wystarczająca dla uzysk
Page 42 and 43:
4.2.2. Wpływ temperatury wygrzewan
Page 44 and 45:
Rys. 4.5. Profile głębokościowe
Page 46 and 47: Rys. 4.7. Profile głębokościowe
Page 48 and 49: Profile głębokościowe Mn dla pr
Page 50 and 51: 5. Badanie struktury defektowej Si:
Page 52 and 53: W praktyce dużo wygodniejsze jest
Page 54 and 55: Dyfraktometr Philips MRD wyposażon
Page 56 and 57: zachodzi zjawisko dyfrakcji, można
Page 58 and 59: dyfrakcyjnej. Pomiar krzywej odbić
Page 60 and 61: Rys. 5.9. Schemat mapowania węzła
Page 62 and 63: Występowanie defektów punktowych
Page 64 and 65: temperatury, a także ciśnienia. R
Page 66 and 67: Rys. 5.12. Mapy węzła 004 sieci o
Page 68 and 69: w płaszczyznach {110} dość dobrz
Page 74 and 75: Wykonane symulacje numeryczne map w
Page 76 and 77: Rys. 6.1. Ogólny schemat budowy tr
Page 78 and 79: próbkom wygrzewanym w ciśnieniu p
Page 80 and 81: o wielkości do kilkudziesięciu nm
Page 82 and 83: (a) (b) (c)Rys. 6.5. Zdjęcia TEM d
Page 84 and 85: → →Π (m, n) - bezwymiarowy czy
Page 86 and 87: Zmienna C jest tzw. „siłą” de
Page 88 and 89: Wilsona był obecny. Zatem podjęto
Page 90 and 91: Obliczone i przedstawione w tabeli
Page 92 and 93: propagacji promieniowania rentgenow
Page 94 and 95: Si:Mn, pokazano, że dla próbek ni
Page 98 and 99: Rys. 8.4. Dyfraktogramy I(2θ/ω) w
Page 100 and 101: Rys. 8.5. Dyfraktogram I(2θ/ω) wo
Page 102 and 103: na to, że przyczyną takiego stanu
Page 104 and 105: 9.2. Wyniki pomiarów magnetycznych
Page 106 and 107: Rys. 9.3. Krzywe namagnesowania (zn
Page 108 and 109: Rys. 9.4. Krzywe namagnesowania (be
Page 110 and 111: wynika, że parametry sieci wydziel
Page 112 and 113: emitowanego promieniowania charakte
Page 114 and 115: Ważną obserwacją okazało się,
Page 116 and 117: którym określono liczbę, rodzaj
Page 118 and 119: Badanie rentgenowskiego rozpraszani
Page 120 and 121: Literatura[1] T. Dietl, Postępy Fi
Page 122 and 123: [38] J. Bak-Misiuk, P. Romanowski,
Page 124 and 125: [73] M. A. Krivoglaz, „Theory of
Page 126 and 127: [113] M. Klepka, „Wyznaczanie sk
Page 128 and 129: 10. A. Misiuk, A. Barcz, J. Bąk-Mi
Page 130: 27. E. Dynowska, J. Bąk-Misiuk, P.
show all

WpÅyw warunkÃ³w wygrzewania na strukturÄ defektowÄ krzemu ...

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?

WpÅyw warunkÃ³w wygrzewania na strukturÄ defektowÄ krzemu ...