Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

Zmienna C jest tzw. „siłą” defektu określającą pole odkształceń spowodowane przez defekti obliczana jest wg wzoru:1 1+ σC = ∆V(7.7)12π1− σgdzie: σ – współczynnik Poissona (dla Si w kierunku , σ = 0,28 [88]).7.2. Wyniki pomiarów krzywych I(q) oraz obliczeń średniego rozmiaru i koncentracjidefektów w próbkach Si:MnW celu wyznaczenia średniego rozmiaru defektów w kryształach Si:Mn posłużono siępomiarami krzywych odbić I(ω) – ten rodzaj pomiarów opisany został w rozdziale 5.1.3.Aby z odpowiednią dokładnością wyznaczyć parametr q 0 wymagane jest, aby punktypomiarowe zostały zebrane z odpowiednią statystyką. Pomiary laboratoryjnez wykorzystaniem konwencjonalnego promieniowania rentgenowskiego najczęściejnie wystarczają, gdyż pomimo zastosowania bardzo długich czasów pomiarowychzarejestrowane natężenie rozpraszania dyfuzyjnego nie daje krzywych o odpowiedniej jakościze względu na zbyt niskie natężenie. Najbardziej efektywnym rozwiązaniem okazał siępomiar dyfrakcyjnych krzywych odbić z wykorzystaniem promieniowania synchrotronowego.Badania te wykonano na stacji W1 w HASYLAB/DESY (Hamburg) – stacja ta opisanazostała w rozdziale 3.1.W tabeli 7.1 wyszczególniono obliczone średnie wartości rozmiarów defektów R d orazkoncentrację n d dla zmierzonych próbek Si:Mn. Z wyników tych widać, że dla wszystkichpróbek Cz-Si implantowanych Mn + do zimnego podłoża oraz dla próbek wygrzewanychw temperaturze T A = 1270 K nie było możliwe wyznaczenie wartości q 0 , czyli takżeobliczenia szukanych wartości. Powodem jest fakt, że dla tych próbek, na krzywejlog I = f(log q) nie sposób wyodrębnić obszaru rozpraszania asymptotycznego (I SW (q) ∼ q -4 ).W rozprawie [78] dr Shalimov wykazał, że rozpraszanie Stokesa-Wilsona może ulec„rozmyciu”, gdy występuje duży rozrzut rozmiarów defektów. Niemożliwe staje się wtedyzastosowanie metody opisanej w rozdziale 7.1 w celu obliczenia rozmiaru i koncentracjidefektów. Przykłady próbek, dla których obszar rozpraszania asymptotycznego nie byłwidoczny, pokazany jest na rysunku 7.2. Natomiast na rysunku 7.3 pokazano dwaprzykładowe wykresy log I = f(log q) próbek Si:Mn, dla których możliwe było wyznaczenieq 0 dzięki możności rozróżnienia obszarów Huanga, Stokesa-Wilsona oraz rozpraszaniatermicznego.- 86 -