Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

→ →Π (m, n) – bezwymiarowy czynnik rzędu jedności, zależny od wektorów jednostkowychm→ Q/→ → →= Q i n = q/ q , oraz od stałych elastycznych materiału [86,87]. Rozpraszanie Stokesa-Wilsona (asymptotyczne), I SW , gdzie I SW (q) ∼ q -4 . Jest to obszarrozpraszania dyfuzyjnego dla dużych wartości → q , odpowiadający rozpraszaniu na silnychdeformacjach struktury krystalicznej. Natężenie w tym obszarze szybko maleje wrazze wzrostem wartości q, a zmiany natężenia zależą od rodzaju defektów determinującychodkształcenia. Rozpraszanie termiczne, I T , gdzie I T (q) ∼ q -2 . Jest to obszar dla największych wartościwektora odchylenia → q , odpowiadający rozpraszaniu na termicznych drganiach siecikrystalicznej. Rozpraszanie to występuje także w obszarach mniejszych wartości → qjednakże jest nierozróżnialne ze względu na dominujące natężenie pochodząceod defektów. Natężenie termiczne można opisać w następujący sposób [74,79]:2(2 VkBT/ E Q→ →ITq)= fE ⋅ K(m,n)(7.2)2v q2gdzie: k B – stała Boltzmanna; T – temperatura próbki; V – oświetlona objętość materiału;E – moduł Younga (dla Si w kierunku i w temperaturze pokojowej,→→E = 130×10 9 Pa [88]); K (m, n)– bezwymiarowy czynnik, zależny od wektorówjednostkowychm→ Q/→ → →= Q i n = q/ q , oraz stałych elastycznych materiału [86,87]. Iloczyn→ →E ⋅ K(m,n) jest rzędu jedności.Dla łatwiejszej analizy zmian natężenia I w funkcji q, stosuje się podwójnąlogarytmiczną zależność log I = f(log q). W zależności tej obserwujemy trzy obszaryrozpraszania, których nachylenia krzywych wynoszą kolejno: -2 (Huanga), -4 (Stokesa-Wilsona) oraz znów -2 (termiczne). Wartości q 0 , przy której zachodzi przejście z rozpraszaniaHuanga do rozpraszania Stokesa-Wilsona, jest odwrotnie proporcjonalna do wartości R d :q02π= (7.3)Rgdzie R d – średni (efektywny) rozmiar klasterów defektów. Sposób wyznaczania parametru q 0pokazany jest na rysunku 7.1.d- 84 -