Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

Rys. 5.12. Mapy węzła 004 sieci odwrotnej dla niewygrzewanych („as-implanted”) próbek Si:Mn:Cz-Si:Mn, T S = 340 K (a); Cz-Si:Mn, T S = 610 K (b); Fz-Si:Mn, T S = 610 K (c).Na żadnej z trzech map z rysunku 5.12 nie obserwujemy pasma powierzchniowego.Dzieje się tak, ponieważ proces implantacji powoduje zniszczenie powierzchni, któregoefektem jest również niewielkie rozpraszanie dyfuzyjne. W zamian za to, wzdłuż osi Q z ,po stronie mniejszych wartości Q z od maksimum pojawia się pasmo, które możemy nazwać„pasmem naprężeniowym”. Implantacja manganu do krzemu powoduje naprężenia skutkująceodkształceniem komórek elementarnych matrycy. Obserwujemy to w postaci rozrzutuparametru sieciowego Si w kierunku większych wartości (czyli mniejszych Q z ).5.2.3. Wpływ temperatury wygrzewania na rozpraszanie dyfuzyjne dla próbekCz-Si:Mn (implantacja do zimnego podłoża)Na rysunku 5.13 przedstawiono mapy węzła 004 Si sieci odwrotnej dla próbekCz-Si implantowanych Mn + do zimnego podłoża (T S = 340 K) a następnie wygrzanychw wysokich temperaturach. Próbki te poddane były procesowi wygrzewania w ciśnieniup A = 10 5 Pa, trwającemu t A = 1 h.- 66 -