Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

próbkom wygrzewanym w ciśnieniu p A = 10 5 Pa. Nie analizowano także próbekwygrzewanych w czasie większym niż 1 h, ponieważ wykazano wcześniej, że strukturadefektowa kształtuje się głównie w czasie pierwszej godziny wygrzewania. Zdjęcia TEMwykonane zostały dla próbek Si:Mn wygrzewanych w różnych temperaturach.Część próbek Si:Mn zbadano przy użyciu transmisyjnego mikroskopu elektronowegoJEM200EX firmy JEOL (rys. 6.2, z lewej) znajdującego się w Instytucie Fizyki PANw Warszawie, którego budowa umożliwia obrazowanie z powiększeniem ok. miliona razy[83]. Zdjęcia pozostałych próbek wykonane zostały przy użyciu nowocześniejszej aparaturyTEM, a mianowicie Titan CUBED 80-300 firmy FEI (rys. 6.2, z prawej), który od niedawnatakże znajduje się na wyposażeniu Instytutu Fizyki PAN i którego rozdzielczość orazpowiększenie pozwalają na obrazowanie struktur wielkości rzędu pojedynczych atomów [84].Rys. 6.2. Transmisyjny mikroskop elektronowy JEM2000EX firmy JEOL (z lewej) orazTitan CUBED 80-300 firmy FEI (z prawej) w laboratorium SL1.4 Instytutu Fizyki PAN.6.3.1. Omówienie zdjęć TEM dla próbek Cz-Si:Mn (implantacja do zimnego podłoża)Wszystkie uzyskane dla próbek Si:Mn zdjęcia TEM potwierdzają, że w wynikuimplantacji mamy do czynienia ze strukturą trójwarstwową, na którą składa się warstwaprzestrzelona jonami Mn, warstwa implantowana Mn + (wzbogacona), oraz monokrystalicznepodłoże Si. Metoda implantacji nie pozwala jednak uzyskiwać interfejsów wysokiej jakości,co najlepiej widać na zdjęciu 6.3 (a) uzyskanym dla próbki Cz-Si implantowanej Mn +do zimnego podłoża i wygrzanej w temperaturze T A = 610 K. Interfejs (międzypowierzchnia)- 78 -