WpÅyw warunkÃ³w wygrzewania na strukturÄ defektowÄ krzemu ...

More documents

Recommendations

Info

to ilość wystarczająca dla uzyskania miarodajnych i dokładnych informacji na tematanalizowanej próbki. Współczynnik S ± A , dla dowolnego pierwiastka A wchodzącego w składbadanej powierzchni próbki można wyznaczyć dzięki zależności [1]:S ± A = γ ± A C A S (4.1)gdzie: γ ± A – współczynnik jonizacji będący stosunkiem liczby dodatnich lub ujemnych jonówwtórnych wyemitowanych z pierwiastka A do całkowitej liczby wszystkich wyemitowanychcząstek; C A – koncentracja atomów pierwiastka A w próbce; S – współczynnik rozpyleniasubstancji, czyli liczba rozpylonych atomów przypadających na jeden jon pierwotny(uwzględnia się wszystkie cząstki, w tym także cząstki obojętne).Z kolei natężenie prądu wybranych jonów wtórnych I A dla pierwiastka A, można określićnastępującą zależnością:I A = I 0 S ± A Ω τ C A (4.2)gdzie: I 0 – prąd jonów pierwotnych; Ω – kąt bryłowy detekcji; τ – stosunek liczby cząstekrejestrowanych do liczby cząstek docierających do detektora.4.2. Wyniki pomiarów profili głębokościowych Mn dla próbek Si:MnOmawiane w dalszej części pracy pomiary profili głębokościowych Mn dla próbekSi:Mn, wykonane zostały przy użyciu aparatury SIMS znajdującej się w Instytucie FizykiPAN w Warszawie (rys. 4.2) i wyposażonej w spektrometr masowy CAMECA IMS6F.Zastosowano wiązkę jonów trawiących O + 2 o energii 8 keV.Rys. 4.2. Aparatura SIMS CAMECA IMS6F w Instytucie Fizyki PAN.- 40 -
Część wyników badań techniką SIMS próbek Si:Mn będących przedmiotem tej pracy,zostało opublikowanych w pracach [7-10].4.2.1. Profile głębokościowe Mn dla niewygrzanych próbek Si:MnProfile głębokościowe dla manganu, zmierzone przy pomocy techniki SIMS,dla niewygrzanych („as-implanted”) próbek Si:Mn przedstawiono na rysunku 4.3.Rys. 4.3. Profile głębokościowe Mn dla niewygrzewanych („as-implanted”) próbek Si:Mn:Cz-Si:Mn, T S = 340 K (a); Cz-Si:Mn, T S = 610 K (b); Fz-Si:Mn, T S = 610 K (c).Dla wszystkich trzech niewygrzewanych próbek: Cz-Si:Mn (T S = 340 K), Cz-Si:Mn(T S = 610 K) i Fz-Si:Mn (T S = 610 K) pokazane na rysunku 3.4 krzywe koncentracji manganumają zbliżony charakter. Maksimum koncentracji Mn przypada na głębokość ~ 140 ± 30 nmi jest ona zgodna dla wszystkich próbek „as-implanted”, bez względu na metodę wzrostukryształu Si czy temperaturę podłoża podczas implantacji. Dla wszystkich grup próbekenergia jonów implantowanych wynosiła 160 keV, co było czynnikiem decydującymo zasięgu (R p ) implantowanych jonów Mn.- 41 -
Page 1: INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII N
Page 7 and 8: 1. Wprowadzenie do tematyki badań
Page 10 and 11: zastosowanego w procesie poimplanta
Page 12 and 13: 2. Preparatyka, obróbka oraz proce
Page 14 and 15: 0∫R = S(E)dE(2.1)pE0gdzie: S - zd
Page 16 and 17: ∂cJ = −D(2.2)∂xgdzie: D - wsp
Page 18 and 19: yć wygięcie bloku krystalicznego,
Page 20: Stosowany w naszym eksperymencie uk
Page 24 and 25: natomiast drugi, w pozycji 53,58°,
Page 26 and 27: i 1270 K pojawiają się dodatkowe
Page 28 and 29: Rys. 3.8. Dyfraktogramy próbek Cz-
Page 30 and 31: z odpowiadającymi im krzywymi dla
Page 32 and 33: Fz-Si:Mn (T S = 610 K), po wygrzani
Page 34 and 35: 3.4.1. Parametry sieci wydzieleń M
Page 36 and 37: zastosowanego ciśnienia hydrostaty
Page 38 and 39: 4. Badania próbek Si:Mn z zastosow
Page 42 and 43: 4.2.2. Wpływ temperatury wygrzewan
Page 44 and 45: Rys. 4.5. Profile głębokościowe
Page 46 and 47: Rys. 4.7. Profile głębokościowe
Page 48 and 49: Profile głębokościowe Mn dla pr
Page 50 and 51: 5. Badanie struktury defektowej Si:
Page 52 and 53: W praktyce dużo wygodniejsze jest
Page 54 and 55: Dyfraktometr Philips MRD wyposażon
Page 56 and 57: zachodzi zjawisko dyfrakcji, można
Page 58 and 59: dyfrakcyjnej. Pomiar krzywej odbić
Page 60 and 61: Rys. 5.9. Schemat mapowania węzła
Page 62 and 63: Występowanie defektów punktowych
Page 64 and 65: temperatury, a także ciśnienia. R
Page 66 and 67: Rys. 5.12. Mapy węzła 004 sieci o
Page 68 and 69: w płaszczyznach {110} dość dobrz
Page 74 and 75: Wykonane symulacje numeryczne map w
Page 76 and 77: Rys. 6.1. Ogólny schemat budowy tr
Page 78 and 79: próbkom wygrzewanym w ciśnieniu p
Page 80 and 81: o wielkości do kilkudziesięciu nm
Page 82 and 83: (a) (b) (c)Rys. 6.5. Zdjęcia TEM d
Page 84 and 85: → →Π (m, n) - bezwymiarowy czy
Page 86 and 87: Zmienna C jest tzw. „siłą” de
Page 88 and 89: Wilsona był obecny. Zatem podjęto
Page 90 and 91:
Obliczone i przedstawione w tabeli
Page 92 and 93:
propagacji promieniowania rentgenow
Page 94 and 95:
Si:Mn, pokazano, że dla próbek ni
Page 96 and 97:
Rys. 8.1. Dyfraktogramy I(2θ/ω) w
Page 98 and 99:
Rys. 8.4. Dyfraktogramy I(2θ/ω) w
Page 100 and 101:
Rys. 8.5. Dyfraktogram I(2θ/ω) wo
Page 102 and 103:
na to, że przyczyną takiego stanu
Page 104 and 105:
9.2. Wyniki pomiarów magnetycznych
Page 106 and 107:
Rys. 9.3. Krzywe namagnesowania (zn
Page 108 and 109:
Rys. 9.4. Krzywe namagnesowania (be
Page 110 and 111:
wynika, że parametry sieci wydziel
Page 112 and 113:
emitowanego promieniowania charakte
Page 114 and 115:
Ważną obserwacją okazało się,
Page 116 and 117:
którym określono liczbę, rodzaj
Page 118 and 119:
Badanie rentgenowskiego rozpraszani
Page 120 and 121:
Literatura[1] T. Dietl, Postępy Fi
Page 122 and 123:
[38] J. Bak-Misiuk, P. Romanowski,
Page 124 and 125:
[73] M. A. Krivoglaz, „Theory of
Page 126 and 127:
[113] M. Klepka, „Wyznaczanie sk
Page 128 and 129:
10. A. Misiuk, A. Barcz, J. Bąk-Mi
Page 130:
27. E. Dynowska, J. Bąk-Misiuk, P.
show all

WpÅyw warunkÃ³w wygrzewania na strukturÄ defektowÄ krzemu ...

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?

WpÅyw warunkÃ³w wygrzewania na strukturÄ defektowÄ krzemu ...