Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

Rys. 7.1. Metoda wyznaczania parametru q 0 z nachylenia krzywej rozpraszania dyfuzyjnego.Wyznaczenie koncentracji defektów w badanej objętości kryształu jest bardziejskomplikowane niż średniego rozmiaru defektów. Jak wspomniano wcześniej, rozpraszanietermiczne obecne jest we wszystkich obszarach → q , jednak jest nierozróżnialne. Natężenie I Tnie zależy od koncentracji defektów, jednak jest tak samo odwrotnie proporcjonalnedo kwadratu q, jak I H . W związku z tym, koncentrację defektów można wyznaczyć badającstosunek natężenia rozpraszania Huanga do natężenia rozpraszania dyfuzyjnego:IIHT( q( qHT) q) q2H2T= nd→→2( ∆V) Π(m,n)→ →kBT/ EE ⋅ K(m,n)(7.4)gdzie: n d = N d /V – gęstość klasterów defektów w badanej objętości kryształu; I H (q H ) jestintensywnością w dowolnym punkcie q H (analogicznie do I T (q T )).→→Jak już wspomniano, zarówno czynnik Π (m, n)jak i iloczyn E ⋅ K(m,n)są rzędu jedności,→→stąd iloraz→Π(m,n)→→→E ⋅ K(m,n)także jest tego rzędu. Ponieważ wyznaczenie koncentracji defektówopisywaną metodą ma charakter szacunkowy, można przyjąć, że iloraz ten jest równy 1i zaniedbać go w dalszych rozważaniach. Takie przybliżenie jest słuszne i nie wpływaw istotny sposób na obliczenia wartości n d .Zmianę objętości ∆V spowodowaną obecnością klastera defektów wyznaczyć można,korzystając z własności [74,79]:1q0 ≈ (7.6)Q Chkl- 85 -