Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

gdzie: K → 0 – wektor fali padającej o amplitudzie D 0 ;'K →i– wektor fali ugiętej o amplitudzieD i , spełniający warunek Bragga (wyrażenie 5.2) dla „lokalnego” (stałego w nieskończeniemałym idealnym otoczeniu punktu → r ) wektora sieci odwrotnej→'Q hkl:gdzie:→ → →''Ki− K0= Qhkl[8.5]→Q ' →→ → →hkl= Qhkl− grad(Qhkl⋅ u( r ))[8.6]W przypadku odbiciowym, natężenie fali ugiętej będzie proporcjonalne do |D i | 2 . Jeśli ( r )zależeć będzie jedynie od współrzędnej z (oś z skierowana jak normalna do powierzchnikryształu), równanie T-T przyjmie następującą postać:→ → →dξiΦPχi 2 Φχ0γid(Qhkl ⋅ u(r )) iΦCχi= − ξ + iξφ + − ++[8.7]dz( (1 ))2 γ2γγ dz 2 γ0i0gdzie: ξ = D i /D 0 ; P – czynnik polaryzacyjny zależny od tego, w jakiej płaszczyźniespolaryzowana jest fala padająca (P = 1 dla polaryzacji σ; P = cos2θ B dla polaryzacji π,i→u →przy czym θ B jest kątem spełniającym warunek Bragga);χiiχi– współczynnikirozwinięcia w szereg Fouriera współczynnika podatności elektrycznej χ; γ 0 i γ i– tzw. cosinusy kierunkowe ( γ = ∠( n,K0,i), gdzie0,i→→→n – normalna do powierzchnikryształu); czynniki Φ i φ spełniają następującą zależność:φΦ=21−(cosτ − 2sin θB sin υ)− 2sin θBcosυ + sin τ[8.8]gdzie: τ – kąt pomiędzy wektorem K →0a powierzchnią próbki; υ – kąt pomiędzy wektoremdyfrakcji → Q a normalną → n do powierzchni.8.2. Wyniki pomiarów i symulacje krzywych I(2θ/ω) dla próbek Si:MnDzięki uzyskanym dyfraktogramom I(2θ/ω) wraz z symulacjami, dokonanooszacowania rozkładu naprężeń wewnątrz kryształu spowodowanego implantacją jonami Mnoraz/lub poimplantacyjnym wygrzewaniem. Dlatego też pokazane wyniki dotyczą przedewszystkim próbek, w przypadku których wiadomo, że występują pewne naprężenia.W rozdziale 5, w którym omówiono mapowanie węzła 004 Si sieci odwrotnej dla próbek- 93 -