Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

Rys. 5.13. Mapy węzła 004 sieci odwrotnej dla próbek Cz-Si:Mn (T S = 340 K):T A = 610 K (a); T A = 870 K (b); T A = 1070 K (c); T A = 1270 K wraz z symulacją (d).Na mapie 5.13 (a) widać, że po wygrzaniu próbki w temperaturze T A = 610 K pojawiasię, porównując z mapą dla próbki „as-implanted” (rys. 5.12 (a)), silniejsze rozpraszaniedyfuzyjne. Ma ono jednak charakter dość nieregularny, prawdopodobnie ze względu na to,że rozpoczął się proces rekrystalizacji matrycy lub tworzenia wydzieleń zawierającychmangan. Jednocześnie brak pasma powierzchniowego wskazuje na zaburzenia strukturalnewystępujące na powierzchni dające również wkład do rozpraszania dyfuzyjnego.Po wygrzaniu w 870 K widoczna jest zmiana kształtu rozpraszania (rys. 5.13 (b)) wynikającaze zmiany struktury defektowej. Wiadomo z rozdziału 3.3.2, że w tej temperaturzeimplantowana warstwa ulega rekrystalizacji, jak również następuje kreacja polikrystalicznegoSi oraz fazy Mn 4 Si 7 . Obserwujemy też następującą sytuację: na pasmo pochodząceod naprężeń nałożone jest pasmo powierzchniowe („truncation rod”) wskazujące na poprawęgładkości powierzchni. Wygrzewanie w temperaturze 1070 K (rys. 5.13 (c)) powoduje ogólnąpoprawę jakości struktury i zanikające pasmo naprężeniowe. Natomiast wygrzewaniew 1270 K (rys. 5.13 (d)) powoduje zanik pasma powierzchniowego a regularny kształt izoliniirozpraszania dyfuzyjnego umożliwia charakteryzację istniejących defektów poprzezporównanie kształtu ich izokonturów z symulacją wykonaną przy zastosowaniu obliczeńkinematycznej teorii dyfrakcji [78]. Obraz teoretyczny uzyskany przy założeniuwystępowania defektów typu pętli dyslokacyjnych o wektorze Burgersa rozłożonych- 67 -