Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

natomiast drugi, w pozycji 53,58°, jest przesuniętym (niedojustowanym) refleksem 311od fazy monokrystalicznej matrycy krzemowej.3.3.2. Wpływ temperatury wygrzewania na strukturę krystaliczną próbek Cz-Si:Mn(implantacja do zimnego podłoża)Rysunek 3.5 przedstawia wyniki pomiarów dyfrakcyjnych przeprowadzonychz użyciem geometrii poślizgowej, dla kryształów Cz-Si implantowanych Mn + do podłożao temperaturze T S = 340 K, a następnie wygrzanych w różnych temperaturach (T A )i w ciśnieniu p A = 10 5 Pa. Czas wygrzewania wynosił t A = 1h. Dla porównania umieszczonorównież dyfraktogram próbki „as-implanted” (rys. 3.5, krzywa (a)).Rys. 3.5. Dyfraktogramy próbek Cz-Si:Mn (T S = 340 K):„as-implanted” (a); T A = 610 K (b); T A = 870 K (c); T A = 1070 K (d); T A = 1270 K (e).Jak widać z rysunku 3.5, kształt krzywej dyfrakcyjnej (b) dla próbki Cz-Si:Mn(T S = 340 K) wygrzanej w temperaturze 610 K praktycznie nie różni się od dyfraktogramu (a)dla próbki niewygrzanaj („as-implanted”). Zatem wygrzanie w takiej temperaturzenie zmienia struktury krystalicznej zaimplantowanej warstwy. Natomiast kształt krzywych((c), (d), (e)) odpowiadający wygrzewaniu próbek w temperaturach odpowiednio 870, 1070i 1270 K pokazuje, że następuje rekrystalizacja warstwy przypowierzchniowej, ale takżetworzenie się fazy polikrystalicznego Si, o czym świadczy występowanie dziesięciu pikówod polikrystalicznego krzemu. W pozycjach 41,87 i 46,39° (na zboczu piku 311 Si), widać- 24 -