WpÅyw warunkÃ³w wygrzewania na strukturÄ defektowÄ krzemu ...

More documents

Recommendations

Info

zastosowanego ciśnienia hydrostatycznego, oraz czasu. Stwierdzono, że badania dyfrakcyjnenie wykazały istotnego wpływu podwyższonego ciśnienia i czasu wygrzewania na strukturęwarstwy zagrzebanej. Najważniejszymi czynnikami wpływającym na strukturę warstwySi:Mn są warunki wzrostu kryształu i jego implantacji jonami Mn oraz temperaturawygrzewania. W tabeli 3.1 zaprezentowano podsumowujące zestawienie próbek Si:Mnz podziałem na grupy w zależności od metody wzrostu i warunków implantacji, orazzaznaczono występowanie danych faz w zależności od temperatury podłoża podczasimplantacji.Temp. Cz-Si:Mn, T S = 340 K Cz-Si:Mn, T S = 610 K Fz-Si:Mn, T S = 610 Kwygrzewania Mn 4 Si 7 Si Mn 4 Si 7 Si Mn 4 Si 7 Siniewygrzana - - - - - +610 K - - - - - -870 K + + + - + -1070 K + + + - + -1270 K + + + - + -Tabela 3.1. Występowanie polikrystalicznych faz Mn 4 Si 7 oraz Si w badanych próbkachw zależności od temperatury poimplantacyjnego wygrzewania.W rozdziale 3.4.1 wyznaczono parametry sieci utworzonej tetragonalnej fazy Mn 4 Si 7i porównano z parametrami sieci „bulk” Mn 4 Si 7 . Otrzymane wartości przy uwzględnieniubłędów pomiarowych są nieco większe od wartości podanych dla materiału objętościowego.Może to sugerować zaburzoną stechiometrię wydzieleń i/lub występowanie nanonaprężeń.Dla żadnej z próbek Si:Mn w badaniach dyfrakcyjnych z użyciem promieniowaniasynchrotronowego nie zaobserwowano istnienia jakichkolwiek wydzieleń zorientowanychw stosunku do matrycy Si oraz jakichkolwiek związków zawierających tlen.Na zakończenie rozdziału warto uwypuklić najważniejsze spostrzeżenia wynikającez powyższych pomiarów: Metoda wzrostu i/lub temperatura podłoża podczas implantacji wpływa na strukturęwarstwy zagrzebanej. Dla wysokich temperatur implantacji obserwujemy częściowy lubcałkowity proces epitaksjalnej rekrystalizacji (SPER). W przypadku niskiej temperaturypodłoża podczas implantacji otrzymana warstwa wykazuje duże nieuporządkowanie. W przypadku próbek Cz-Si:Mn temperatura wygrzewania 610 K nie daje widocznychefektów zmian strukturalnych w stosunku do próbek „as-implanted”. Z kolei dla próbek- 36 -
Fz-Si:Mn, temperatura ta umożliwia dokończenie procesu rekrystalizacji matrycy, któryzapoczątkowany został podczas implantacji. W próbkach implantowanych Mn + do zimnego podłoża, w wyniku wygrzewaniaw temperaturze 870 K i wyższych, obserwowane jest powstawanie polikrystalicznego Si.Efekt ten nie występuje w próbkach implantowanych do gorącego podłoża. Zaobserwowano powstawanie fazy Mn 4 Si 7 , która najsilniej widoczna jest w próbkachSi:Mn implantowanych Mn + do gorącego podłoża (zarówno Cz-Si:Mn i Fz-Si:Mn).Optymalną zmierzoną temperaturą wygrzewania dla kreacji tych wydzieleń jestT A = 1070 K. Wygrzewanie w temperaturze 1270 K może utrudniać powstawanie polikrystalicznychwydzieleń Mn 4 Si 7 . Nie obserwujemy istotnego wpływu podwyższonego ciśnienia hydrostatycznegozastosowanego podczas wygrzewania na strukturę warstwy zaimplantowanej. Wpływ czasu wygrzewania na strukturę warstwy w próbkach implantowanychdo gorącego podłoża zależy od temperatury wygrzewania.- 37 -
Page 1: INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII N
Page 7 and 8: 1. Wprowadzenie do tematyki badań
Page 10 and 11: zastosowanego w procesie poimplanta
Page 12 and 13: 2. Preparatyka, obróbka oraz proce
Page 14 and 15: 0∫R = S(E)dE(2.1)pE0gdzie: S - zd
Page 16 and 17: ∂cJ = −D(2.2)∂xgdzie: D - wsp
Page 18 and 19: yć wygięcie bloku krystalicznego,
Page 20: Stosowany w naszym eksperymencie uk
Page 24 and 25: natomiast drugi, w pozycji 53,58°,
Page 26 and 27: i 1270 K pojawiają się dodatkowe
Page 28 and 29: Rys. 3.8. Dyfraktogramy próbek Cz-
Page 30 and 31: z odpowiadającymi im krzywymi dla
Page 32 and 33: Fz-Si:Mn (T S = 610 K), po wygrzani
Page 34 and 35: 3.4.1. Parametry sieci wydzieleń M
Page 38 and 39: 4. Badania próbek Si:Mn z zastosow
Page 40 and 41: to ilość wystarczająca dla uzysk
Page 42 and 43: 4.2.2. Wpływ temperatury wygrzewan
Page 44 and 45: Rys. 4.5. Profile głębokościowe
Page 46 and 47: Rys. 4.7. Profile głębokościowe
Page 48 and 49: Profile głębokościowe Mn dla pr
Page 50 and 51: 5. Badanie struktury defektowej Si:
Page 52 and 53: W praktyce dużo wygodniejsze jest
Page 54 and 55: Dyfraktometr Philips MRD wyposażon
Page 56 and 57: zachodzi zjawisko dyfrakcji, można
Page 58 and 59: dyfrakcyjnej. Pomiar krzywej odbić
Page 60 and 61: Rys. 5.9. Schemat mapowania węzła
Page 62 and 63: Występowanie defektów punktowych
Page 64 and 65: temperatury, a także ciśnienia. R
Page 66 and 67: Rys. 5.12. Mapy węzła 004 sieci o
Page 68 and 69: w płaszczyznach {110} dość dobrz
Page 74 and 75: Wykonane symulacje numeryczne map w
Page 76 and 77: Rys. 6.1. Ogólny schemat budowy tr
Page 78 and 79: próbkom wygrzewanym w ciśnieniu p
Page 80 and 81: o wielkości do kilkudziesięciu nm
Page 82 and 83: (a) (b) (c)Rys. 6.5. Zdjęcia TEM d
Page 84 and 85: → →Π (m, n) - bezwymiarowy czy
Page 86 and 87:
Zmienna C jest tzw. „siłą” de
Page 88 and 89:
Wilsona był obecny. Zatem podjęto
Page 90 and 91:
Obliczone i przedstawione w tabeli
Page 92 and 93:
propagacji promieniowania rentgenow
Page 94 and 95:
Si:Mn, pokazano, że dla próbek ni
Page 96 and 97:
Rys. 8.1. Dyfraktogramy I(2θ/ω) w
Page 98 and 99:
Rys. 8.4. Dyfraktogramy I(2θ/ω) w
Page 100 and 101:
Rys. 8.5. Dyfraktogram I(2θ/ω) wo
Page 102 and 103:
na to, że przyczyną takiego stanu
Page 104 and 105:
9.2. Wyniki pomiarów magnetycznych
Page 106 and 107:
Rys. 9.3. Krzywe namagnesowania (zn
Page 108 and 109:
Rys. 9.4. Krzywe namagnesowania (be
Page 110 and 111:
wynika, że parametry sieci wydziel
Page 112 and 113:
emitowanego promieniowania charakte
Page 114 and 115:
Ważną obserwacją okazało się,
Page 116 and 117:
którym określono liczbę, rodzaj
Page 118 and 119:
Badanie rentgenowskiego rozpraszani
Page 120 and 121:
Literatura[1] T. Dietl, Postępy Fi
Page 122 and 123:
[38] J. Bak-Misiuk, P. Romanowski,
Page 124 and 125:
[73] M. A. Krivoglaz, „Theory of
Page 126 and 127:
[113] M. Klepka, „Wyznaczanie sk
Page 128 and 129:
10. A. Misiuk, A. Barcz, J. Bąk-Mi
Page 130:
27. E. Dynowska, J. Bąk-Misiuk, P.
show all

WpÅyw warunkÃ³w wygrzewania na strukturÄ defektowÄ krzemu ...

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?

WpÅyw warunkÃ³w wygrzewania na strukturÄ defektowÄ krzemu ...