Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

to ilość wystarczająca dla uzyskania miarodajnych i dokładnych informacji na tematanalizowanej próbki. Współczynnik S ± A , dla dowolnego pierwiastka A wchodzącego w składbadanej powierzchni próbki można wyznaczyć dzięki zależności [1]:S ± A = γ ± A C A S (4.1)gdzie: γ ± A – współczynnik jonizacji będący stosunkiem liczby dodatnich lub ujemnych jonówwtórnych wyemitowanych z pierwiastka A do całkowitej liczby wszystkich wyemitowanychcząstek; C A – koncentracja atomów pierwiastka A w próbce; S – współczynnik rozpyleniasubstancji, czyli liczba rozpylonych atomów przypadających na jeden jon pierwotny(uwzględnia się wszystkie cząstki, w tym także cząstki obojętne).Z kolei natężenie prądu wybranych jonów wtórnych I A dla pierwiastka A, można określićnastępującą zależnością:I A = I 0 S ± A Ω τ C A (4.2)gdzie: I 0 – prąd jonów pierwotnych; Ω – kąt bryłowy detekcji; τ – stosunek liczby cząstekrejestrowanych do liczby cząstek docierających do detektora.4.2. Wyniki pomiarów profili głębokościowych Mn dla próbek Si:MnOmawiane w dalszej części pracy pomiary profili głębokościowych Mn dla próbekSi:Mn, wykonane zostały przy użyciu aparatury SIMS znajdującej się w Instytucie FizykiPAN w Warszawie (rys. 4.2) i wyposażonej w spektrometr masowy CAMECA IMS6F.Zastosowano wiązkę jonów trawiących O + 2 o energii 8 keV.Rys. 4.2. Aparatura SIMS CAMECA IMS6F w Instytucie Fizyki PAN.- 40 -