Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

Rys. 3.4. Dyfraktogramy niewygrzanych („as-implanted”) próbek Si:Mn:Cz-Si:Mn, T S = 340 K (a); Cz-Si:Mn, T S = 610 K (b); Fz-Si:Mn, T S = 610 K (c).Należy jeszcze wyjaśnić pochodzenie refleksu widocznego na każdym z trzechdyfraktogramów w pozycji 2θ ≈ 55° (rys. 3.4). Jest to tzw. niedojustowany refleks 311od monokrystalicznego podłoża Si. Na dyfraktogramach otrzymanych przy użyciu geometriipoślizgowej pojawia się w wyniku pewnej zbieżności kątów. W kryształach o układzieregularnym, kąt pomiędzy płaszczyznami 001 (z dobrym przybliżeniem równoległado powierzchni) a 311 wynosi θ = 25,2° [53]. Kąt 2θ wyniesie zatem 50,4°, a powiększonyo kąt ω będzie równy 51,4°. Jest to zbliżona wartość do wartości tablicowej pozycji refleksu311 krzemu, która wynosi 56,121° [54]. Mamy do czynienia z promieniowaniemsynchrotronowym, cechującym się bardzo wysoką intensywnością, a przy tym refleks 311 Sijest refleksem bardzo silnym, stąd „zbocze” tego piku może się rozciągać na kilka stopnii nawet w pozycji znacząco odbiegającej od tablicowej zauważalna jest wysoka intensywność.W dodatku jest to w tym przypadku tzw. „refleks niedojustowany”, stąd jego pozycja kątowamoże być przesunięta. Obracając próbkę wokół osi prostopadłej do powierzchni, możnadojustować ten refleks (osiągnąć maksymalną intensywność przy minimalnej szerokościpołówkowej piku) bądź też doprowadzić do sytuacji, w której nie będzie widocznyna dyfraktogramie, jednakże nie było to naszym celem. Interesującym przypadkiem jestkrzywa dyfrakcyjna (c) na rysunku 3.4, na której widać dwa refleksy pochodząceod płaszczyzn 311. Jeden z nich, znajdujący się w pozycji bardzo bliskiej tablicowej2θ = 55,96°, jest refleksem pochodzącym od fazy polikrystalicznej warstwy zaimplantowanej,- 23 -