Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

Profile głębokościowe Mn dla próbek niewygrzanych mają zbliżony charakter. To znaczy,że mangan ulega podobnemu rozmieszczeniu początkowemu bez względu na typ podłoża(Cz-Si lub Fz-Si) i jego temperatury podczas implantacji. Dla próbek Cz-Si implantowanych Mn + do zimnego podłoża, wygrzewaniew temperaturach T A = 870 K i wyższych powoduje dyfuzję manganu w kierunkupowierzchni próbki, a następnie jego wydyfundowywanie. Spowodowane to jest silnymzdefektowaniem tej grupy próbek, co (oprócz temperatury wygrzewania) sprzyja dyfuzjimanganu. Dla próbek Cz-Si i Fz-Si implantowanych Mn + do gorącego podłoża, wygrzewaniepraktycznie nie zmienia profilu koncentracji Mn. Prawdopodobną podstawową przyczynąjest tworzenie się dużej liczby wydzieleń Mn 4 Si 7 , przez co mangan jest silnie związany,co z kolei zapobiega zjawisku „out-difusion”. Dopiero wysoka temperatura wygrzewania(T A = 1270 K) powodowała wydyfundowanie części manganu lub jego przesunięciaw głąb próbki (Fz-Si:Mn). Zaobserwowano, że wysokie ciśnienie (p A = 1.1×10 9 Pa) stosowane podczas wygrzewaniama nikły wpływ na zmianę profili głębokościowych Mn dla wszystkich omawianychtypów próbek.4.3.1. Dyskusja dotycząca zgodności wyników badań techniką SIMS z wynikamidyfrakcyjnych badań strukturalnych w geometrii poślizgowejW poprzednim rozdziale, dotyczącym badań dyfrakcyjnych z użyciempromieniowania synchrotronowego i geometrii poślizgowej omówiono wyniki pomiarówdla wygrzewanych próbek Si:Mn. Jednym z interesujących aspektów była kreacja fazyMn 4 Si 7 oraz jej zachowanie w zależności od parametrów poimplantacyjnego wygrzewania.Poniżej sprawdzono istnienie korelacji pomiędzy zjawiskiem dyfuzji manganu wykazanymw niniejszym rozdziale, a zmianą intensywności pików dyfrakcyjnych pochodzącychod polikrystalicznych wydzieleń Mn 4 Si 7 .Dla próbek Cz-Si implantowanych Mn + do zimnego podłoża obserwowaliśmyniewielki wzrost intensywności refleksów pochodzących od fazy Mn 4 Si 7 po procesiewygrzewania w temperaturze T A = 1270 K (rys. 3.5, krzywa (e)). Pomiary SIMS dla tegoprzypadku wykazały przesunięcie się manganu do powierzchni próbki (rys. 4.4, krzywa (d)),a taka okoliczność mogła spowodować, że wykreowane tuż pod powierzchnią wydzielenia- 48 -