WpÅyw warunkÃ³w wygrzewania na strukturÄ defektowÄ krzemu ...

More documents

Recommendations

Info

10. A. Misiuk, A. Barcz, J. Bąk-Misiuk, P. Romanowski, L. Chow, E. Choi,Stress-mediated redistribution of Mn in annealed Si:Mn, Materials Scienceand Engineering B 159-160 (2009) 36111. K. Kosiel, J. Kubacka-Traczyk, P. Karbownik, A. Szerling, J. Muszalski, M. Bugajski,P. Romanowski, J. Gaca, M. Wójcik, Molecular-beam epitaxy growthand characterization of Mid-infrared quantum cascade laser structures,Microelectronics Journal 40 (2009) 56512. A. Misiuk, A. Ulyashin, A. Barcz, J. Bąk-Misiuk, P. Romanowski, M. Prujszczyk,Buried spongy-like layers in silicon implanted with He + , annealed and treated in D +plasma, Physica Status Solidi C 6 (2009) 155113. J. Bąk-Misiuk, I. V. Antonova, A. Misiuk, P. Formanek, P. Romanowski, Buried porousSiN x layer in nitrogen-implanted silicon, Physica Status Solidi C 6 (2009) 158014. K. Kosiel, M. Bugajski, A. Szerling, J. Kubacka-Traczyk, P. Karbownik,E. Pruszyńska-Karbownik, J. Muszalski, A. Łaszcz, P. Romanowski, M. Wasiak,W. Nakwaski, I. Makarowa, P. Perlin, 77 K operation of AlGaAs/GaAs quantumcascade laser at 9 µm, Photonics Letters of Poland 1 (2009) 1615. A. Misiuk, W. Wierzchowski, K. Wieteska, P. Romanowski, J. Bąk-Misiuk,M. Prujszczyk, C. A. Londos, W. Graeff, Thermally induced defects in silicon irradiatedwith fast neutrons, Radiation Physics and Chemistry 78 (2009) 6716. J. Bąk-Misiuk, J. Z. Domagała, P. Romanowski, E. Dynowska, E. Łusakowska,A. Misiuk, W. Paszkowicz, J. Sadowski, A. Barcz, W. Caliebe, Creation of MnAsnanoclusters during processing of GaMnAs, Radiation Physics and Chemistry 78(2009) 11617. J. Bąk-Misiuk, P. Romanowski, J. Z. Domagała, A. Misiuk, E. Dynowska,E. Łusakowska, A. Barcz, J. Sadowski, W. Caliebe, Ferromagnetic nanoclustersin Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature-pressure, High Pressure Physicsand Technics 19 (2009) 3218. A. Misiuk, A. Ulyashin, A. Barcz, P. Romanowski, J. Bąk-Misiuk, Deuteriumaccumulation within nano-structured layers in Si:He upon plasma treatment, PhysicaStatus Solidi C 6 (2009) 2789- 128 -
19. K. Ławniczak-Jabłońska, A. Wolska, J. Bąk-Misiuk, E. Dynowska, P. Romanowski,J. Z. Domagała, R. Minikayev, D. Wasik, M. T. Klepka, J. Sadowski, A. Barcz,P. Dłużewski, S. Kret, A. Twardowski, M. Kamińska, A. Persson, D. Arvanitis,E. Holub-Krappe, A. Kwiatkowski, Structural and magnetic properties of the molecularbeam epitaxy grown MnSb layers on GaAs substrates, Journal of Applied Physics 106(2009) 8352420. J. Bąk-Misiuk, P. Romanowski, J. Sadowski, T. Wojciechowski, E. Dynowska,J. Z. Domagała, W. Caliebe, Structural properties of (Ga,Mn)Sb thin filmson GaAs(111)A substrate, Physica Status Solidi C 6 (2009) 279221. P. Romanowski, J. Bąk-Misiuk, E. Dynowska, J. Z. Domagała, J. Sadowski,T. Wojciechowski, A. Barcz, R. Jakieła, W. Caliebe, Defect structureof high-temperature-grown GaMnSb/GaSb, Acta Physica Polonica A 117 (2010) 34122. A. Misiuk, J. Bąk-Misiuk, A. Barcz, P. Romanowski, B. Surma, A. Wnuk, Structureof self-implanted silicon annealed under enhanced hydrostatic pressure, High PressureResearch 31 (2011) 10223. K. Ławniczak-Jabłońska, J. Bąk-Misiuk, E. Dynowska, P. Romanowski,J. Z. Domagała, J. Libera, A. Wolska, M. T. Klepka, P. Dłużewski, J. Sadowski,A. Barcz, D. Wasik, A. Twardowski, A. Kwiatkowski, Structural and magneticproperties of nanoclusters in GaMnAs granular layers, Journal of Solid State Chemistry184 (2011) 153024. K. Ławniczak-Jabłońska, J. Libera, A. Wolska, M. T. Klepka, P. Dłużewski,J. Bąk-Misiuk, E. Dynowska, P. Romanowski, J. Z. Domagała, J. Sadowski, A. Barcz,D. Wasik, A. Twardowski, A. Kwiatkowski, Structural and magnetic propertiesof GaAs:(Mn,Ga)As granular layers, Physica Status Solidi B 248 (2011) 160925. A. Misiuk, A. Barcz, J. Bąk-Misiuk, A. Ulyashin, P. Romanowski, Hydrogen getteringwithin processed oxygen-implanted silicon, Advanced Materials Research 276 (2011) 3526. W. Paszkowicz, P. Romanowski, J. Bąk-Misiuk, W. Wierzchowski, K. Wieteska,W. Graeff, R. J. Iwanowski, M. H. Heinonen, O. Ermakova, H. Dąbkowska,Characterization of Yb:LuVO 4 single crystals, Radiation Physics and Chemistry 80(2011) 1001- 129 -
Page 1:
INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII N
Page 7 and 8:
1. Wprowadzenie do tematyki badań
Page 10 and 11:
zastosowanego w procesie poimplanta
Page 12 and 13:
2. Preparatyka, obróbka oraz proce
Page 14 and 15:
0∫R = S(E)dE(2.1)pE0gdzie: S - zd
Page 16 and 17:
∂cJ = −D(2.2)∂xgdzie: D - wsp
Page 18 and 19:
yć wygięcie bloku krystalicznego,
Page 20:
Stosowany w naszym eksperymencie uk
Page 24 and 25:
natomiast drugi, w pozycji 53,58°,
Page 26 and 27:
i 1270 K pojawiają się dodatkowe
Page 28 and 29:
Rys. 3.8. Dyfraktogramy próbek Cz-
Page 30 and 31:
z odpowiadającymi im krzywymi dla
Page 32 and 33:
Fz-Si:Mn (T S = 610 K), po wygrzani
Page 34 and 35:
3.4.1. Parametry sieci wydzieleń M
Page 36 and 37:
zastosowanego ciśnienia hydrostaty
Page 38 and 39:
4. Badania próbek Si:Mn z zastosow
Page 40 and 41:
to ilość wystarczająca dla uzysk
Page 42 and 43:
4.2.2. Wpływ temperatury wygrzewan
Page 44 and 45:
Rys. 4.5. Profile głębokościowe
Page 46 and 47:
Rys. 4.7. Profile głębokościowe
Page 48 and 49:
Profile głębokościowe Mn dla pr
Page 50 and 51:
5. Badanie struktury defektowej Si:
Page 52 and 53:
W praktyce dużo wygodniejsze jest
Page 54 and 55:
Dyfraktometr Philips MRD wyposażon
Page 56 and 57:
zachodzi zjawisko dyfrakcji, można
Page 58 and 59:
dyfrakcyjnej. Pomiar krzywej odbić
Page 60 and 61:
Rys. 5.9. Schemat mapowania węzła
Page 62 and 63:
Występowanie defektów punktowych
Page 64 and 65:
temperatury, a także ciśnienia. R
Page 66 and 67:
Rys. 5.12. Mapy węzła 004 sieci o
Page 68 and 69:
w płaszczyznach {110} dość dobrz
Page 70 and 71:
Page 72 and 73:
Page 74 and 75:
Wykonane symulacje numeryczne map w
Page 76 and 77:
Rys. 6.1. Ogólny schemat budowy tr
Page 78 and 79: próbkom wygrzewanym w ciśnieniu p
Page 80 and 81: o wielkości do kilkudziesięciu nm
Page 82 and 83: (a) (b) (c)Rys. 6.5. Zdjęcia TEM d
Page 84 and 85: → →Π (m, n) - bezwymiarowy czy
Page 86 and 87: Zmienna C jest tzw. „siłą” de
Page 88 and 89: Wilsona był obecny. Zatem podjęto
Page 90 and 91: Obliczone i przedstawione w tabeli
Page 92 and 93: propagacji promieniowania rentgenow
Page 94 and 95: Si:Mn, pokazano, że dla próbek ni
Page 96 and 97: Rys. 8.1. Dyfraktogramy I(2θ/ω) w
Page 98 and 99: Rys. 8.4. Dyfraktogramy I(2θ/ω) w
Page 100 and 101: Rys. 8.5. Dyfraktogram I(2θ/ω) wo
Page 102 and 103: na to, że przyczyną takiego stanu
Page 104 and 105: 9.2. Wyniki pomiarów magnetycznych
Page 106 and 107: Rys. 9.3. Krzywe namagnesowania (zn
Page 108 and 109: Rys. 9.4. Krzywe namagnesowania (be
Page 110 and 111: wynika, że parametry sieci wydziel
Page 112 and 113: emitowanego promieniowania charakte
Page 114 and 115: Ważną obserwacją okazało się,
Page 116 and 117: którym określono liczbę, rodzaj
Page 118 and 119: Badanie rentgenowskiego rozpraszani
Page 120 and 121: Literatura[1] T. Dietl, Postępy Fi
Page 122 and 123: [38] J. Bak-Misiuk, P. Romanowski,
Page 124 and 125: [73] M. A. Krivoglaz, „Theory of
Page 126 and 127: [113] M. Klepka, „Wyznaczanie sk
Page 130: 27. E. Dynowska, J. Bąk-Misiuk, P.
show all

WpÅyw warunkÃ³w wygrzewania na strukturÄ defektowÄ krzemu ...

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?

WpÅyw warunkÃ³w wygrzewania na strukturÄ defektowÄ krzemu ...