Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

dwa, stosunkowo słabe dodatkowe refleksy, które dla tej grupy próbek najsilniej widoczne sąna krzywej (e), czyli dla próbki wygrzanej w 1270 K. C Są to wydzielenia polikrystalicznejfazy Mn 4 Si 7 , która zgodnie z bazą danych [55] ma strukturę tetragonalną o parametrach siecia = 5,525 Å i c = 17,463 Å. Wyniki te znajdują potwierdzenie m.in. w pracy Zhou [30].Dla uzupełnienia warto wspomnieć, że powinien być widoczny jeszcze jeden reflekspochodzący od fazy Mn 4 Si 7 , jednak jego pozycja byłaby niemal dokładnie taka sama,co pozycja piku 220 Si.3.3.3. Wpływ temperatury wygrzewania na strukturę krystaliczną próbek Cz-Si:Mn(implantacja do gorącego podłoża)Wyniki pomiarów dyfrakcyjnych dla kolejnej grupy próbek, tj. Cz-Si implantowanychMn + tym razem do podłoża o temperaturze T S = 610 K, pokazano na rysunku 3.6. Tak jakpoprzednio, czas wygrzewania wynosił t A = 1h, a ciśnienie p A = 10 5 Pa.Rys. 3.6. Dyfraktogramy próbek Cz-Si:Mn (T S = 610 K):„as-implanted” (a); T A = 610 K (b); T A = 870 K (c); T A = 1070 K (d); T A = 1270 K (e).Z rozdziału 3.3.1 wiemy, że próbka implantowana wyjściowa („as-implanted”)wykazuje charakter monokrystaliczny (rys. 3.4, krzywa (a)) – widoczny jest jedynieniedojustowany refleks 311 pochodzący od podłoża Si. Po wygrzaniu próbki w temperaturze610 K nie widać żadnych istotnych zmian (krzywa (b)), a więc taka temperatura nie wpływana zmianę struktury krystalicznej kryształu. Natomiast dla temperatur wygrzewania 870, 1070- 25 -