Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

strukturalnego, oraz obserwujemy dość regularne rozpraszanie dyfuzyjne powstałe w wynikuutworzenia się fazy Mn 4 Si 7 . Z przeprowadzonych obliczeń numerycznych wywnioskowano,że kształt izokonturów odpowiada obecności defektów typu pętle dyslokacyjnew płaszczyznach {111} o wektorze Burgersa (wstawki na mapach (c) i (d)).5.2.5. Wpływ temperatury wygrzewania na rozpraszanie dyfuzyjne dla próbekFz-Si:Mn (implantacja do gorącego podłoża)Podobne zachowanie w zmianie rozpraszania dyfuzyjnego obserwujemy dla próbekSi:Mn otrzymanych metodą wzrostu „Floating zone” implantowanych do gorącego podłoża(T S = 610 K), a następnie wygrzewanych w wysokich temperaturach i w ciśnieniuatmosferycznym (czas wygrzewania t A = 1 h). Mapy tego rozpraszania pokazane sąna rysunku 5.15.Rozpraszanie dyfuzyjne widoczne dla próbek Fz-Si:Mn wygrzanych w temperaturach610 i 870 K (rys. 5.15 (a) i (b)) nie wykazuje istotnych zmian w stosunku do próbkiniewygrzanej (rys. 5.12 (c)). Wygrzewanie w temperaturach 1070 i 1270 K ((c) i (d))tak jak w przypadku próbek Cz-Si implantowanych Mn + do gorącego podłoża, sugerujewystępowanie defektów typu pętle dyslokacyjne o wektorze Burgersa , rozmieszczonew płaszczyznach {111}. Wskazują na to przeprowadzone symulacje numeryczne (wstawkina mapach (c) i (d)). Dla próbki wygrzanej w 1270 K (mapa (d)) zauważalna jest takżeasymetria w rozpraszaniu dyfuzyjnym w stronę większych wartości Q z . Wskazuje onana zwiększoną koncentrację międzywęzłowych defektów punktowych. Gdyby obserwowanabyła sytuacja odwrotna – asymetria w kierunku mniejszych Q z , wskazywałobyto na dominację defektów typu luk [79]. Podkreślić należy także, że podobnie jak dla próbekCz-Si implantowanych Mn + do gorącego podłoża, temperatura wygrzewania 1070 Kpowoduje uporządkowanie struktury, co przejawia się brakiem pasma naprężeniowego.- 69 -