Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

Rys. 5.11. Mapy węzła 004 sieci odwrotnej dla wyjściowych próbek: Cz-Si (a) oraz Fz-Si (b).Na obu mapach z rysunku 5.11, a także na wszystkich kolejnych mapach otrzymanychdoświadczalnie, obecne są tzw. pseudopasma wynikające z zastosowania analizatora(„analyzer streak”), dla symetrycznego przypadku odchylone w przestrzeni sieci odwrotnejod osi Q z w przybliżeniu o wartość kąta spełniającego warunek Bragga (ω ≈ 34,56°dla refleksu 004 Si). Pseudopasma tego typu, będące efektem czynników instrumentalnych,pojawiają się na mapach zawsze, niezależnie od badanego refleksu czy geometrii pomiarudyfrakcyjnego.Z kolei wzdłuż osi Q z obserwujemy inne pasmo, tzw. „pasmo powierzchniowe”(„truncation rod”) odpowiadające dyfrakcji na krysztale dwuwymiarowym (rys. 5.11 (a)i (b)). Pasmo to występuje tylko w przypadku kryształów o bardzo dobrej jakościpowierzchni, a jego zanikanie związane jest z zaburzeniem doskonałości powierzchnikryształu.5.2.2. Rozpraszanie dyfuzyjne dla niewygrzanych próbek Si:MnRysunek 5.12 pokazuje mapy węzła 004 sieci odwrotnej dla niewygrzanych próbekCz-Si implantowanych jonami manganu do podłoża o temperaturze 340 K (rys. 5.12 (a))i 610 K (rys. 5.12 (b)) oraz Fz-Si:Mn implantowanej w temperaturze 610 K (rys. 5.12 (c)).Kształt rozpraszania dyfuzyjnego w przypadku wszystkich trzech próbek „as-implanted”Si:Mn wygląda bardzo podobnie.- 65 -