∂cJ = −D(2.2)∂xgdzie: D – współczynnik dyfuzji określający szybkość, z jaką zachodzi proces przy stałymgradiencie stężenia (koncentracji). Z<strong>na</strong>k minus oz<strong>na</strong>cza, że dyfuzja zachodzi w kierunkuzmniejszającego się stężenia dyfundującego składnika.Drugie prawo Ficka podaje zależność pomiędzy gradientem koncentracji a szybkością,∂ cz jaką w danym punkcie układu zmienia się stężenie ( ) w wyniku procesu dyfuzji:∂t∂c∂ ∂c= ( D )(2.3)∂t∂x∂xgdzie: t – czas procesu.Jak wspomniano, dyfuzja jest zjawiskiem aktywowanym termicznie. Każdy atomw sieci krystalicznej otoczony jest pewną barierą potencjału, stąd warunkiem przemieszczeniasię atomu z jednej pozycji do drugiej jest poko<strong>na</strong>nie tej bariery, <strong>na</strong>zywanej energią aktywacji– im wyższa temperatura, tym wyższe prawdopodobieństwo jej poko<strong>na</strong>nia. W przypadkuwiększości ciał stałych, zjawisko to moż<strong>na</strong> opisać poprzez rów<strong>na</strong>nie Arrheniusa [47]. Energiaaktywacji dyfuzji E D wpływa <strong>na</strong> wielkość współczynnika dyfuzji, czyli <strong>na</strong> jej szybkość:ED( − )RT0eD = D(2.4)gdzie: D 0 – stała zależ<strong>na</strong> od struktury krystalicznej materiału; R – uniwersal<strong>na</strong> stała gazowa;T – temperatura w skali bezwzględnej.2.5. Mechanizmy dyfuzji w sieci krystalicznejRuch atomów w krysztale aktywowany drganiami termicznymi sieci umożliwiająprzede wszystkim niedosko<strong>na</strong>łości struktury krystalicznej. W zależności od rodzaju materiału,warunków zewnętrznych oraz występowania określonych typów defektów struktury, procesdyfuzji może <strong>na</strong>stępować w różny sposób. Istnieje kilka podstawowych typów mechanizmówdyfuzji sieciowej [47]: Mechanizm podwójnej wymiany, polegający <strong>na</strong> zmianie położeń węzłowych dwóchsąsiadujących ze sobą atomów. Proces ten nie wymaga obecności defektów, jed<strong>na</strong>k jestbardzo mało prawdopodobny zwłaszcza w kryształach o gęstym upakowaniu atomów,gdyż wymagałby z<strong>na</strong>cznej deformacji sieci, a w związku z tym wysokiej energiiaktywacji. Mniejszej energii aktywacji niż podwój<strong>na</strong> wymia<strong>na</strong> wymaga dyfuzja- 16 -
pierścieniowa będąca uogólnionym przypadkiem mechanizmu wymiany. W procesie tym,tj. zamiany swych położeń, uczestniczą trzy lub cztery atomy. Należy jed<strong>na</strong>k podkreślić,że mechanizmy wymiany nie odgrywają z<strong>na</strong>czącej roli w procesach dyfuzji w krysztale,gdyż w strukturach rzeczywistych zawsze występują defekty punktowe, dzięki którymruch atomów w sieci jest energetycznie łatwiejszy i korzystniejszy. Najprostszym i <strong>na</strong>jczęściej spotykanym w kryształach mechanizmem dyfuzji jestmechanizm wakancyjny. Proces ten polega <strong>na</strong> kolejnych przeskokach atomu lub jonuz węzła sieci do sąsiedniej luki (wakancji). Zatem warunkiem, który musi być spełniony,jest występowanie luki w sąsiedztwie danego atomu. W przypadku tego mechanizmu,<strong>na</strong>leży rozpatrywać zarówno ruch dyfuzyjny atomu/jonu, jak i dyfuzję luk. Pewnąodmianą mechanizmu wakancyjnego jest mechanizm relaksacyjny, polegający <strong>na</strong> tym,że otaczające wakancję atomy ulegają przesunięciom w jej kierunku, przy czym powstałew wyniku tego procesu zaburzenie sieci krystalicznej rozciąga się <strong>na</strong> odległość rzędukilku parametrów sieciowych. W powstałym obszarze atomy mogą dyfundowaćw wyniku bezładnych ruchów termicznych. Jeśli dominującymi defektami struktury krystalicznej są atomy lub jony w pozycjachmiędzywęzłowych wówczas możemy mieć do czynienia z dwoma rodzajami dyfuzji,z czego pierwszy, tzw. prosty mechanizm międzywęzłowy polega po prostu <strong>na</strong> kolejnychprzeskokach atomu/jonu z jednej przestrzeni międzywęzłowej do drugiej. Jed<strong>na</strong>k procesten wymaga z<strong>na</strong>cznych deformacji sieci w momencie przeskoku atomu – strukturakryształu musi charakteryzować się „luźnym” rozmieszczeniem swych elementów, alboteż atomy międzywęzłowe muszą mieć z<strong>na</strong>cznie mniejszą średnicę od atomów sieci, czylidotyczy to obcych domieszek. Gdy średnice atomów/jonów międzywęzłowych sąporównywalne ze średnicami atomów matrycy, wówczas dyfuzja zachodzi wedługmechanizmu międzywęzłowego z wypieraniem, który polega <strong>na</strong> tym, że atommiędzywęzłowy wypiera sąsiadujący atom z pozycji węzłowej do przestrzenimiędzywęzłowej, po czym zajmuje jego położenie węzłowe.Z opisanych powyżej podstawowych mechanizmów, dominującymi ze względu<strong>na</strong> korzystne warunki energetyczne są te, które korzystają z defektów struktury – wakancyjnei międzywęzłowe. Istnieje jeszcze kilka innych, skomplikowanych mechanizmów,związanych z liniowymi i powierzchniowymi defektami sieci krystalicznej. Przykładowo,dyslokacja krawędziowa wprowadza dodatkową międzypłaszczyznę, dzięki istnieniu którejpewien zespół atomów ulega przesunięciu ze swych położeń równowagowych i który możeprzemieszczać się w sieci krystalicznej wzdłuż krawędzi dyslokacji. Innym przykładem może- 17 -
- Page 1: INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII N
- Page 7 and 8: 1. Wprowadzenie do tematyki badań
- Page 10 and 11: zastosowanego w procesie poimplanta
- Page 12 and 13: 2. Preparatyka, obróbka oraz proce
- Page 14 and 15: 0∫R = S(E)dE(2.1)pE0gdzie: S - zd
- Page 18 and 19: yć wygięcie bloku krystalicznego,
- Page 20: Stosowany w naszym eksperymencie uk
- Page 24 and 25: natomiast drugi, w pozycji 53,58°,
- Page 26 and 27: i 1270 K pojawiają się dodatkowe
- Page 28 and 29: Rys. 3.8. Dyfraktogramy próbek Cz-
- Page 30 and 31: z odpowiadającymi im krzywymi dla
- Page 32 and 33: Fz-Si:Mn (T S = 610 K), po wygrzani
- Page 34 and 35: 3.4.1. Parametry sieci wydzieleń M
- Page 36 and 37: zastosowanego ciśnienia hydrostaty
- Page 38 and 39: 4. Badania próbek Si:Mn z zastosow
- Page 40 and 41: to ilość wystarczająca dla uzysk
- Page 42 and 43: 4.2.2. Wpływ temperatury wygrzewan
- Page 44 and 45: Rys. 4.5. Profile głębokościowe
- Page 46 and 47: Rys. 4.7. Profile głębokościowe
- Page 48 and 49: Profile głębokościowe Mn dla pr
- Page 50 and 51: 5. Badanie struktury defektowej Si:
- Page 52 and 53: W praktyce dużo wygodniejsze jest
- Page 54 and 55: Dyfraktometr Philips MRD wyposażon
- Page 56 and 57: zachodzi zjawisko dyfrakcji, można
- Page 58 and 59: dyfrakcyjnej. Pomiar krzywej odbić
- Page 60 and 61: Rys. 5.9. Schemat mapowania węzła
- Page 62 and 63: Występowanie defektów punktowych
- Page 64 and 65: temperatury, a także ciśnienia. R
- Page 66 and 67:
Rys. 5.12. Mapy węzła 004 sieci o
- Page 68 and 69:
w płaszczyznach {110} dość dobrz
- Page 70 and 71:
Rys. 5.15. Mapy węzła 004 sieci o
- Page 72 and 73:
Rys. 5.18. Mapy węzła 004 sieci o
- Page 74 and 75:
Wykonane symulacje numeryczne map w
- Page 76 and 77:
Rys. 6.1. Ogólny schemat budowy tr
- Page 78 and 79:
próbkom wygrzewanym w ciśnieniu p
- Page 80 and 81:
o wielkości do kilkudziesięciu nm
- Page 82 and 83:
(a) (b) (c)Rys. 6.5. Zdjęcia TEM d
- Page 84 and 85:
→ →Π (m, n) - bezwymiarowy czy
- Page 86 and 87:
Zmienna C jest tzw. „siłą” de
- Page 88 and 89:
Wilsona był obecny. Zatem podjęto
- Page 90 and 91:
Obliczone i przedstawione w tabeli
- Page 92 and 93:
propagacji promieniowania rentgenow
- Page 94 and 95:
Si:Mn, pokazano, że dla próbek ni
- Page 96 and 97:
Rys. 8.1. Dyfraktogramy I(2θ/ω) w
- Page 98 and 99:
Rys. 8.4. Dyfraktogramy I(2θ/ω) w
- Page 100 and 101:
Rys. 8.5. Dyfraktogram I(2θ/ω) wo
- Page 102 and 103:
na to, że przyczyną takiego stanu
- Page 104 and 105:
9.2. Wyniki pomiarów magnetycznych
- Page 106 and 107:
Rys. 9.3. Krzywe namagnesowania (zn
- Page 108 and 109:
Rys. 9.4. Krzywe namagnesowania (be
- Page 110 and 111:
wynika, że parametry sieci wydziel
- Page 112 and 113:
emitowanego promieniowania charakte
- Page 114 and 115:
Ważną obserwacją okazało się,
- Page 116 and 117:
którym określono liczbę, rodzaj
- Page 118 and 119:
Badanie rentgenowskiego rozpraszani
- Page 120 and 121:
Literatura[1] T. Dietl, Postępy Fi
- Page 122 and 123:
[38] J. Bak-Misiuk, P. Romanowski,
- Page 124 and 125:
[73] M. A. Krivoglaz, „Theory of
- Page 126 and 127:
[113] M. Klepka, „Wyznaczanie sk
- Page 128 and 129:
10. A. Misiuk, A. Barcz, J. Bąk-Mi
- Page 130:
27. E. Dynowska, J. Bąk-Misiuk, P.