z odpowiadającymi im krzywymi dla próbek wygrzewanych w czasie 1 h. Wyniki pomiarówdyfrakcyjnych w geometrii poślizgowej dla próbek Si:Mn wygrzewanych w różnych czasach,oraz zestawione dla różnych, przykładowych temperatur, przedstawiono <strong>na</strong> rysunkach 3.11,3.12 i 3.13 (rys. 3.11 – Cz-Si:Mn, T S = 340 K; rys. 3.12 – Cz-Si:Mn, T S = 610 K; rys. 3.13– Fz-Si:Mn, T S = 610 K)). Wszystkie omawiane w tym rozdziale próbki wygrzewane byływ ciśnieniu p A = 10 5 Pa.Rys. 3.11. Dyfraktogramy próbek Cz-Si:Mn (T S = 340 K):T A = 610 K, t A = 1 h (a); T A = 720 K, t A = 10 h (b); T A = 870 K, t A = 1 h (c); T A = 920 K, t A = 10 h (d).Rys. 3.12. Dyfraktogramy próbek Cz-Si:Mn (T S = 610 K):T A = 1070 K, t A = 1 h (a); T A = 1070 K, t A = 5 h (b); T A = 1270 K, t A = 1 h (c); T A = 1270 K, t A = 5 h (d).- 30 -
Rys. 3.13. Dyfraktogramy próbek Fz-Si:Mn (T S = 610 K):T A = 870 K, t A = 1 h (a); T A = 870 K, t A = 10 h (b); T A = 1270 K, t A = 1 h (c); T A = 1270 K, t A = 5 h (d).W przypadku próbek Cz-Si implantowanych Mn + do zimnego podłoża, nie widaćwpływu czasu <strong>wygrzewania</strong> <strong>na</strong> zmianę struktury warstwy zaimplantowanej (rys. 3.11).Na wykresie zestawiono próbki mierzone w czasie 1h (krzywe (a) i (c)) z próbkamimierzonymi w czasie dziesięciokrotnie dłuższym (krzywe (b) i (d)). Co prawda temperatury<strong>wygrzewania</strong> dla obu par próbek nie są identyczne (krzywe (a) i (b) – T A = 610 i 720 K;krzywe (c) i (d) – 870 i 920 K), jed<strong>na</strong>k są wystarczająco zbliżone dla <strong>na</strong>szych rozważań. Obiepary krzywych wyglądają niemal identycznie, stąd wniosek, że czas <strong>wygrzewania</strong> nie mawpływu <strong>na</strong> kreację wydzieleń lub rekrystalizację warstwy. Z rozdziału 3.3.5 wynika,że podwyższone ciśnienie także nie daje wyraźnego wpływu <strong>na</strong> zmianę struktury próbek, stąd<strong>na</strong>jważniejszym czynnikiem zmieniającym strukturę zaimplantowanej warstwy zagrzebanejjest temperatura <strong>wygrzewania</strong> poimplantacyjnego.I<strong>na</strong>czej wygląda sytuacja w przypadku próbek implantowanych do gorącego podłoża,zarówno Cz-Si:Mn, jak i Fz-Si:Mn (rys. 3.12 i 3.13), z tym, że efekt jest znikomy.Z krzywych (a) i (b) z rysunku 3.12 wynika, że zwiększając czas <strong>wygrzewania</strong> próbekCz-Si:Mn (T S = 610 K) w temperaturze 1070 K moż<strong>na</strong> niez<strong>na</strong>cznie wpłynąć <strong>na</strong> zwiększeniekoncentracji fazy Mn 4 Si 7 w zaimplantowanej warstwie. Refleksy dla tej fazy, widoczne<strong>na</strong> krzywej (b), czyli po wygrzaniu w czasie 5 h, są nieco wyraźniejsze niż w przypadku<strong>wygrzewania</strong> w czasie 1 h (krzywa (a)). Podobny, znikomy efekt obserwowano dla próbek- 31 -
- Page 1: INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII N
- Page 7 and 8: 1. Wprowadzenie do tematyki badań
- Page 10 and 11: zastosowanego w procesie poimplanta
- Page 12 and 13: 2. Preparatyka, obróbka oraz proce
- Page 14 and 15: 0∫R = S(E)dE(2.1)pE0gdzie: S - zd
- Page 16 and 17: ∂cJ = −D(2.2)∂xgdzie: D - wsp
- Page 18 and 19: yć wygięcie bloku krystalicznego,
- Page 20: Stosowany w naszym eksperymencie uk
- Page 24 and 25: natomiast drugi, w pozycji 53,58°,
- Page 26 and 27: i 1270 K pojawiają się dodatkowe
- Page 28 and 29: Rys. 3.8. Dyfraktogramy próbek Cz-
- Page 32 and 33: Fz-Si:Mn (T S = 610 K), po wygrzani
- Page 34 and 35: 3.4.1. Parametry sieci wydzieleń M
- Page 36 and 37: zastosowanego ciśnienia hydrostaty
- Page 38 and 39: 4. Badania próbek Si:Mn z zastosow
- Page 40 and 41: to ilość wystarczająca dla uzysk
- Page 42 and 43: 4.2.2. Wpływ temperatury wygrzewan
- Page 44 and 45: Rys. 4.5. Profile głębokościowe
- Page 46 and 47: Rys. 4.7. Profile głębokościowe
- Page 48 and 49: Profile głębokościowe Mn dla pr
- Page 50 and 51: 5. Badanie struktury defektowej Si:
- Page 52 and 53: W praktyce dużo wygodniejsze jest
- Page 54 and 55: Dyfraktometr Philips MRD wyposażon
- Page 56 and 57: zachodzi zjawisko dyfrakcji, można
- Page 58 and 59: dyfrakcyjnej. Pomiar krzywej odbić
- Page 60 and 61: Rys. 5.9. Schemat mapowania węzła
- Page 62 and 63: Występowanie defektów punktowych
- Page 64 and 65: temperatury, a także ciśnienia. R
- Page 66 and 67: Rys. 5.12. Mapy węzła 004 sieci o
- Page 68 and 69: w płaszczyznach {110} dość dobrz
- Page 70 and 71: Rys. 5.15. Mapy węzła 004 sieci o
- Page 72 and 73: Rys. 5.18. Mapy węzła 004 sieci o
- Page 74 and 75: Wykonane symulacje numeryczne map w
- Page 76 and 77: Rys. 6.1. Ogólny schemat budowy tr
- Page 78 and 79: próbkom wygrzewanym w ciśnieniu p
- Page 80 and 81:
o wielkości do kilkudziesięciu nm
- Page 82 and 83:
(a) (b) (c)Rys. 6.5. Zdjęcia TEM d
- Page 84 and 85:
→ →Π (m, n) - bezwymiarowy czy
- Page 86 and 87:
Zmienna C jest tzw. „siłą” de
- Page 88 and 89:
Wilsona był obecny. Zatem podjęto
- Page 90 and 91:
Obliczone i przedstawione w tabeli
- Page 92 and 93:
propagacji promieniowania rentgenow
- Page 94 and 95:
Si:Mn, pokazano, że dla próbek ni
- Page 96 and 97:
Rys. 8.1. Dyfraktogramy I(2θ/ω) w
- Page 98 and 99:
Rys. 8.4. Dyfraktogramy I(2θ/ω) w
- Page 100 and 101:
Rys. 8.5. Dyfraktogram I(2θ/ω) wo
- Page 102 and 103:
na to, że przyczyną takiego stanu
- Page 104 and 105:
9.2. Wyniki pomiarów magnetycznych
- Page 106 and 107:
Rys. 9.3. Krzywe namagnesowania (zn
- Page 108 and 109:
Rys. 9.4. Krzywe namagnesowania (be
- Page 110 and 111:
wynika, że parametry sieci wydziel
- Page 112 and 113:
emitowanego promieniowania charakte
- Page 114 and 115:
Ważną obserwacją okazało się,
- Page 116 and 117:
którym określono liczbę, rodzaj
- Page 118 and 119:
Badanie rentgenowskiego rozpraszani
- Page 120 and 121:
Literatura[1] T. Dietl, Postępy Fi
- Page 122 and 123:
[38] J. Bak-Misiuk, P. Romanowski,
- Page 124 and 125:
[73] M. A. Krivoglaz, „Theory of
- Page 126 and 127:
[113] M. Klepka, „Wyznaczanie sk
- Page 128 and 129:
10. A. Misiuk, A. Barcz, J. Bąk-Mi
- Page 130:
27. E. Dynowska, J. Bąk-Misiuk, P.