Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

Wykonane symulacje numeryczne map węzłów sieci odwrotnej zasugerowały,że wygrzewanie próbek Si:Mn implantowanych Mn + do gorącego podłoża w temperaturzepowyżej 1070 K powoduje pojawienie się struktury defektowej zdominowanej przezdefekty typu pętle dyslokacyjne rozmieszczone w płaszczyznach {111} i o wektorzeBurgersa . Dla Cz-Si implantowanego Mn + do zimnego podłoża dopiero wygrzewaniew temperaturze 1270 K powoduje pojawienie się izokonturów rozpraszania dyfuzyjnegoodpowiadającego występowaniu pętli dyslokacyjnych (rozmieszczonych w płaszczyznach{110} i o wektorze Burgersa ). W przypadku próbki Fz-Si implantowanej Mn + do gorącego podłoża, wygrzewaniew 1270 K zwiększa koncentrację międzywęzłowych defektów punktowych. Wygrzewanie wysokociśnieniowe nie wpływa na zmianę struktury defektowejzrekrystalizowanych warstw Si:Mn. W przypadku próbki Cz-Si implantowanej Mn +do zimnego podłoża, gdzie poimplantacyjna struktura jest nieuporządkowana, wysokieciśnienie hamuje rozwój struktury defektowej. Struktura defektowa kształtuje się podczas pierwszej godziny wygrzewania, stądwydłużone wygrzewanie nie przynosi istotnych zmian.- 74 -