Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

(a) (b) (c)Rys. 6.4. Zdjęcia TEM dla próbek Cz-Si:Mn (T S = 610 K): T A = 610 K (a); T A = 870 K (b); T A = 1070 K (c).6.3.3. Omówienie zdjęć TEM dla próbek Fz-Si:Mn (implantacja do gorącego podłoża)Skoro wyniki pomiarów dyfrakcyjnych wygrzanych próbek Fz-Si implantowanychMn + do gorącego podłoża wykazały duże podobieństwo do wyników dla wygrzanych próbekCz-Si implantowanych Mn + w tej samej temperaturze, to podobieństw należy się spodziewaćtakże w przypadku zdjęć transmisyjnej mikroskopii elektronowej. Po wygrzaniuw temperaturze T A = 610 K próbki wykazują dobrze zrekrystalizowaną, monokrystalicznąstrukturę (rys. 6.5 (a)). Wydzielenia w warstwie implantowanej w tym przypadku są znówbardzo małe, do kilku nm. Na zdjęciu 6.5 (b), które odpowiada wygrzaniu Fz-Si:Mnw temperaturze T A = 870 K – ich wymiary są już 10-15 nm. Rosnącą tendencję potwierdzająwydzielenia zaobserwowane dla próbki wygrzanej w T A = 1070 K (rys. 6.5 (c)), którychrozmiary są 20-30 nm. Tutaj warto jeszcze podkreślić, że duże mają bardzo regularny,podłużny kształt (zdjęcie (c)). Analiza odległości międzypłaszczyznowych wydzieleńwykazała, że są to płaszczyzny pochodzące od fazy Mn 4 Si 7 .Tak samo jak w przypadku poprzedniej grupy próbek, analiza zdjęć TEMnie potwierdziła występowania defektów typu pętle dyslokacyjne, stąd otrzymane w rozdziale5.2.5 rozpraszanie dyfuzyjne pochodzi od rozpraszania na wydzieleniach o większychwymiarach (rzędu 20-30 nm, rys. 5.15 (c)).- 81 -