Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

całkowita droga, jaką wiązka odbędzie na głębokości x wyniesie 2x/sinω (mnożnik 2 wynikaz faktu, że odbita od płaszczyzny wiązka musi odbyć tę samą „drogę powrotną”). Sytuacjęilustruje rysunek 3.15.Rys. 3.15. Ilustracja drogi wiązki na grubości x w przypadku symetrycznym.Po przekształceniu wyrażenia (3.1) oraz uwzględniając czynnik 2x/sinω otrzymamywyrażenie na głębokość x:sin ω I0x = ln(3.2)2µIJak widać, głębokość x zmniejsza się wraz z kątem padania ω. Przy szczególnym założeniu,że ω = 1°, oraz przyjmując, że po przejściu przez kryształ można zarejestrować sygnało natężeniu osłabionym tysiąckrotnie (stosunek I 0 /I = 10 3 ), otrzymujemy głębokość x, z jakiejsygnał jest jeszcze mierzalny. W przybliżeniu jest on równy 0,002 mm.Jest to bardzo ogólne rozważanie, mające na celu oszacowanie głębokości, z jakiejrejestrujemy sygnał. Należy pamiętać jednak o tym, że w przypadku używanej przez nasgeometrii poślizgowej, przypadek symetryczny jest przypadkiem szczególnym, ponieważw istocie rejestrowane refleksy pochodzą od płaszczyzn nierównoległych do powierzchnipróbki i droga wiązki w krysztale będzie inna dla każdego refleksu.3.5. Podsumowanie wyników dyfrakcyjnych badań próbek Si:Mn z zastosowaniemgeometrii poślizgowej i promieniowania synchrotronowegoNa podstawie przeprowadzonych pomiarów dyfrakcyjnych z użyciem geometriipoślizgowej i promieniowania synchrotronowego przeanalizowano zależność zmian strukturydefektowej w Si:Mn zarówno od temperatury podłoża podczas procesu implantacji,jak i od warunków poimplantacyjnego wygrzewania.Dla każdego z trzech badanych typów próbek wykazano zależność kreacjipolikrystalicznych faz Mn 4 Si 7 oraz/lub Si od temperatury poimplantacyjnego wygrzewania,- 35 -