Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

Rys. 8.1. Dyfraktogramy I(2θ/ω) wokół węzła 004 Si dla niewygrzewanych („as-implanted”) próbek Si:Mn:Cz-Si:Mn, T S = 340 K (a); Cz-Si:Mn, T S = 610 K (b); Fz-Si:Mn, T S = 610 K (c).Jak wspomniano wcześniej, o tym, że pewne naprężenia występują, świadczy dużaasymetria refleksu 004 Si (rys. 8.1) wskazująca na rozrzut parametru sieci matrycy. W istocieasymetria ta, znajdująca się tylko po stronie mniejszych kątów 2θ, jest nałożeniem się odbićod wielu cienkich warstw o zmierzonym większym parametrze sieciowym niż podłoże.Parametr, o którym jest mowa, to parametr sieciowy mierzony prostopadle do odbijającejpłaszczyzny krystalograficznej, równoległej do powierzchni próbki (refleks symetryczny004). Jeśli proces implantacji przebiega w taki sposób, że jony wstrzeliwane są prostopadledo powierzchni próbki (wzdłuż osi z), wtedy największe odkształcenia komórki elementarnejmatrycy pojawiają się właśnie wzdłuż tej osi z. Badania własne pokazały z kolei, że wzdłużosi x i y komórki nie ulegają odkształceniu spowodowanemu implantacją jonową, bądźteż odkształcenie to jest bardzo małe [100].8.2.3. Krzywe I(2θ/ω) dla wygrzanych próbek Si:MnRysunki 8.2, 8.3 i 8.4 przedstawiają krzywe dyfrakcyjne I(2θ/ω) odpowiedniodla kryształów Cz-Si implantowanych Mn + do zimnego podłoża, Cz-Si implantowanychdo gorącego podłoża oraz Fz-Si implantowanych do gorącego podłoża. Na każdymz wykresów pokazane są dyfraktogramy dla próbek wygrzewanych w czasie t A = 1h, ciśnieniup A = 10 5 Pa i temperaturach: T A = 610 K (a), 870 K (b). Dla porównania umieszczono także- 96 -