Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

4.2.2. Wpływ temperatury wygrzewania na profile głębokościowe Mn dla próbekCz-Si:Mn (implantacja do zimnego podłoża)Rysunek 4.4 pokazuje zmierzone profile głębokościowe Mn dla próbek Cz-Siimplantowanych Mn + do podłoża o temperaturze T S = 340 K, oraz wygrzanych w różnychtemperaturach pod ciśnieniem p A = 10 5 Pa i w czasie t A = 1h. Dla porównania, zamieszczonotakże krzywą uzyskaną dla próbki niewygrzanej („as-implanted”) – rys. 4.4, krzywa (a).Rys. 4.4. Profile głębokościowe Mn dla próbek Cz-Si:Mn (T S = 340 K):„as-implanted” (a); T A = 610 K (b); T A = 1070 K (c); T A = 1270 K (d).Wygrzewanie w temperaturze T A = 610 K (rys. 4.4, krzywa (b)) praktycznienie zmienia profilu Mn w stosunku do krzywej próbki niewygrzanej (krzywa (a)). Jednakjuż wygrzewanie w temperaturze wyższej – T A = 1070 K (krzywa (c)) powoduje przesuwaniesię manganu w kierunku powierzchni próbki. Widać z kształtu krzywej (c), że utworzyło siędrugie maksimum znajdujące się tuż przy powierzchni, na głębokości ok. 55 nm. Efekt tenstaje się jeszcze wyraźniejszy po wygrzaniu w temperaturze T A = 1270 K (krzywa (d)),a że dyfuzja jest procesem aktywowanym termicznie, wydaje się to zrozumiałe. Widaćwyraźnie, że całkowita koncentracja (powierzchnia pod krzywą) jest dużo niższa w stosunkudo pozostałych krzywych, co oznacza częściowe wydyfundowanie manganu z kryształu.Obserwujemy także już tylko jedno maksimum koncentracji Mn na głębokości ok. 55 nm– mangan w zdecydowanej większości wydyfundował z głębokości, którą zajmował tużpo implantacji (ok. 130 nm). Dodatkowo, począwszy od maksimum, koncentracja manganu- 42 -