10.07.2015 Views

Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektową krzemu ...

Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektową krzemu ...

Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektową krzemu ...

SHOW MORE
SHOW LESS
  • No tags were found...

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

9.2. Wyniki pomiarów magnetycznych próbek Si:Mn oraz ich korelacja z wynikamibadań strukturalnychPomiarom magnetycznym poddano trzy grupy badanych próbek Si:Mn,wygrzewanych w temperaturach T A = 610, 870, 1070 K, pod ciśnieniem p A = 10 5 Pai w czasie t A = 1 h. Zmierzono krzywe zależności <strong>na</strong>magnesowania M od przyłożonegozewnętrznego pola H (krzywe M(H)) w temperaturze 5 K. Podczas pomiaru kierunek pola Hbył równoległy do powierzchni próbki, a jego wartość wynosiła od -800 do 800 Oe. Uzyskanewyniki poddano wstępnej obróbce numerycznej, która umożliwiła uzyskanie krzywychmagnetyzacji bez wkładu diamagnetycznego od podłoża krzemowego oraz wkładumagnetycznego pochodzącego od uchwytu, <strong>na</strong> którym umocowa<strong>na</strong> była próbka. Syg<strong>na</strong>łmagnetyczny pochodzący od zaimplantowanej warstwy jest relatywnie słaby – rzędu10 -4 -10 -5 emu. Syg<strong>na</strong>ł został znormalizowany do objętości wydzieleń w 1 cm 3 dla danejpróbki, którą wyz<strong>na</strong>czono <strong>na</strong> podstawie wartości rozmiarów i koncentracji wydzieleńotrzymanych w rozdziale 7.2. Ponieważ dla próbek Cz-Si implantowanych Mn + do zimnegopodłoża nie udało się wyz<strong>na</strong>czyć potrzebnych wartości, stąd dla tej grupy próbek wynikimagnetyczne zaprezentowano bez normalizacji i moż<strong>na</strong> je a<strong>na</strong>lizować wyłącznie jakościowo.Na rysunkach 9.1-9.3 pokazano krzywe M(H) otrzymane w pomiarach próbek,odpowiednio: Cz-Si:Mn (implantacja do zimnego podłoża, T S = 340 K) oraz Cz-Si:Mni Fz-Si:Mn (implantacja do gorącego podłoża, T S = 610 K). Najważniejszym wynikiem jestobserwacja, że próbki wygrzane w temperaturze 610 K nie wykazują własnościferromagnetycznych niezależnie od metody wzrostu kryształu i temperatury, w jakiejprzeprowadzo<strong>na</strong> została implantacja (rys. 9.1-9.3, krzywe (a)). Otrzyma<strong>na</strong> dla tej temperaturykrzywe są typowo paramagnetyczne – zależność <strong>na</strong>magnesowania M od wartościzewnętrznego pola H jest liniowa.Natomiast w przypadku próbek wygrzewanych w temperaturach wyższych, tj. 870i 1070 K, występują słabe własności ferromagnetyczne. Na krzywych (b) i (c) z rysunków9.1-9.3 przedstawiających zależności M(H) dla próbek Si:Mn wygrzewanychw temperaturach 870 K (krzywe (b)) i 1070 K (krzywe (c)) obserwowa<strong>na</strong> jest histerezamagnetycz<strong>na</strong>.- 104 -

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!