Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

Typ próbekSi:MnCz-Si:Mn,T S = 340 KCz-Si:Mn,T S = 610 KFz-Si:Mn,T S = 610 KTemperaturawygrzewania [K]Średni rozmiardefektów [nm]Koncentracjadefektów [cm -3 ]6108701070nie udało się wyznaczyć parametru q 01270610 14 (±3) 3 (±1) ×10 13870 19 (±3) 2 (±1) ×10 141070 53 (±3) 6 (±1) ×10 121270 nie udało się wyznaczyć parametru q 0610 9 (±3) 2 (±1) ×10 15870 18 (±3) 4 (±1) ×10 141070 42 (±3) 9 (±1) ×10 121270 nie udało się wyznaczyć parametru q 0Tabela 7.1. Średnie wartości rozmiarów defektów oraz ich koncentracja w zmierzonych próbkach Si:Mn.Otrzymane rozmiary defektów dla obu grup próbek Si:Mn implantowanych Mn +do gorącego podłoża (tabela 7.1) porównano z wielkościami wydzieleń wyznaczonychza pomocą transmisyjnej mikroskopii elektronowej (rozdział 6.3). Uzyskane metodądyfrakcyjną wartości są większe niż te pochodzące z analizy zdjęć TEM, jednakże obliczoneśrednie rozmiary defektów są w istocie średnimi rozmiarami wydzieleń Mn 4 Si 7 . Różnicebiorą się stąd, że uzyskane rentgenowsko rozmiary wydzieleń odpowiadają w przybliżeniuwymiarom pól odkształceń, które generowane są przez te wydzielenia, a nie wymiaromsamych wydzieleń. W pracy [89] autor zauważa, że otrzymywane z dyfrakcji rentgenowskiejrozmiary defektów bywają nawet dwa razy większe niż wielkości wydzieleń otrzymanez badań TEM. Należy także pamiętać o tym, że zdjęcie TEM pokazuje nam lokalny przekrójstruktury próbki. Wymiar widocznego wydzielenia to w rzeczywistości wymiar wycinka tegowydzielenia, które faktycznie może być większe.Z teoretycznego wprowadzenia zawartego w rozdziale 7.1 wynika, że w obszarzerozpraszania asymptotycznego (Stokesa-Wilsona) nachylenie krzywej log I = f(log q)powinno być ~ q -4 . Z przykładowych wykresów na rysunku 7.3 widać jednak, że otrzymanenachylenie w obszarze rozpraszania asymptotycznego jest ~ q -3 i takie też nachyleniewyznaczono dla wszystkich zmierzonych próbek, dla których obszar rozpraszania Stokesa-- 87 -