[38] J. Bak-Misiuk, P. Romanowski, P. Formanek, A. Misiuk, M. Prujszczyk, I. V. Antonova,Physics, Chemistry and Application of Nanostructures (2009) 253[39] J. Bak-Misiuk, A. Misiuk, P. Romanowski, A. Wnuk, J. Trela, Jour<strong>na</strong>l of Luminescence121 (2006) 383[40] http://meroli.web.cern.ch/meroli/Lecture_silicon_floatzone_czochralski.html[41] W. Rosiński, „Implantacja jonów”, Państwowe Wydawnictwo Naukowe, Warszawa(1975)[42] H. F. Wolf, „Półprzewodniki”, Wydawnictwa Naukowo-Techniczne, Warszawa (1975)[43] A. Turos, Materiały konferencyjne z Pierwszego Ogólnopolskiego Spotkaniant. Wysokorozdzielczej Dyfraktometrii i Topografii Rentgenowskiej, Szklarska Poręba(1996)[44] B. J. Pawlak, R. Lindsay, R. Surdeanu, B. Dieu, L. Geenen, I. Hoflijk, O. Richard,R. Duffy, T. Clarysse, B. Brijs, W. Vandervorst, J. Vac. Sci. Technol. B 22 (2004) 297[45] B. J. Pawlak, R. Surdeanu, B. Colombeau, A. J. Smith, N. E. B. Cowern, R. Lindsay,W. Vandervorst, B. Brijs, O. Richard, F. Christiano, Appl. Plys. Lett. 84 (2004) 2055[46] N. G. Rudawski, K. S. Jones, R. Gwilliam, Mat. Sc. and Eng. R 61 (2008) 40[47] S. Mrowiec, „Teoria dyfuzji w stanie stałym. Wybrane zagadnienia”, PaństwoweWydawnictwo Naukowe, Warszawa (1989)[48] http://hasylab.desy.de/facilities/doris_iii/beamlines/w1_roewi/index_eng.html[49] J. Bak-Misiuk, E. Dynowska, P. Romanowski, A. Misiuk, A. Shalimov, J. Z. Domagala,E. Lusakowska, J. Sadowski, W. Caliebe, W. Szuszkiewicz, J. Trela, Sensor Electronicsand Microsystem Technologies 4 (2007) 4[50] J. Bak-Misiuk, E. Dynowska, P. Romanowski, A. Shalimov, A. Misiuk, S. Kret,P. Dluzewski, J. Domagala, W. Caliebe, J. Dabrowski, M. Prujszczyk, Sol. State Phen.131-133 (2008) 327[51] J. Bak-Misiuk, A. Misiuk, P. Romanowski, A. Barcz, R. Jakiela, E. Dynowska,J. Z. Domagala, W, Caliebe, Mat. Sc. and Eng. B 159-160 (2009) 99[52] J. Bak-Misiuk, P. Romanowski, J. Domagala, A. Misiuk, E. Dynowska, E. Lusakowska,A. Barcz, J. Sadowski, W. Caliebe, High Pressure Physics and Technics 19 (2009) 32[53] B. D. Cullity, „Podstawy dyfrakcji promieni rentgenowskich”, Państwowe WydawnictwoNaukowe, Warszawa (1964)[54] JCPDS 27-1402 (ICDD)[55] JCPDS 72-2069 (ICDD)[56] http://physics.nist.gov/PhysRefData/XrayMassCoef/ElemTab/z14.html- 122 -
[57] A. Szaynok, S. Kuźmiński, „Podstawy fizyki powierzchni półprzewodników”,Wydawnictwa Naukowo-Techniczne, Warszawa (2000)[58] A. Oleś, „Metody doświadczalne fizyki ciała stałego”, Wydawnictwa Naukowo-Techniczne, Warszawa (1998)[59] O. Auciello, R. Kelly, „Ion bombardment modification of surfaces: fundamentalsand applications”, Elsevier, Amsterdam (1984)[60] R. G. Wilson, F. A. Stevie, C. W. Magee, „Secondary ion mass spectrometry – a practicalhandbook for depth profiling and bulk impurity a<strong>na</strong>lysis”, John Wiley & Sons Inc., NowyYork (1989)[61] R. Jakieła, „Mechanizmy dyfuzji w półprzewodnikach A 3 B 5 ”, rozprawa doktorska,Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk, Warszawa (2004)[62] M. Ćwil, „A<strong>na</strong>liza profilowa heterostruktur warstwowych metodą spektrometrii masjonów wtórnych”, praca dyplomowa, Politechnika Warszawska, Wydział Fizyki,Warszawa (2003)[63] A. Misiuk, A. Barcz, J. Bak-Misiuk, P. Romanowski, L. Chow, E. Choi, Mat. Scienceand Eng. B 159-160 (2009) 361[64] A. Misiuk, A. Barcz, L. Chow, J. Bak-Misiuk, P. Romanowski, A. Shalimov, A. Wnuk,B. Surma, R. Vanfleet, M. Prujszczyk, High Pressure Physics and Technics 18 (4) (2008)105[65] K. Bowen, B. Tanner, „High-resolution X-ray diffraction and topography”, Teylor &Francis, Londyn (1998)[66] V. Holy, U. Pietsch, T. Baumbach, „High-resolution X-ray scattering from thin films andmultilayers”, Springer, Berlin (1999)[67] Z. Trzaska Durski, H. Trzaska Durska, „Podstawy krystalografii strukturalneji rentgenowskiej”, Państwowe Wydawnictwo Naukowe, Warszawa (1994)[68] T. Penkala, „Zarys krystalografii”, Państwowe Wydawnictwo Naukowe, Warszawa(1977)[69] P. Luger, „Rentgenografia struktural<strong>na</strong> monokryształów”, Państwowe WydawnictwoNaukowe, Warszawa (1989)[70] „Materials Research Diffractometer user guide”, Philips Electronics N. V. (1993)[71] N. Kato, Acta Crysallogr. A 36 (1980) 763[72] A. Authier, „Dy<strong>na</strong>mical theory of X-ray diffraction”, Oxford University Press, Oxford(2003)- 123 -
- Page 1:
INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII N
- Page 7 and 8:
1. Wprowadzenie do tematyki badań
- Page 10 and 11:
zastosowanego w procesie poimplanta
- Page 12 and 13:
2. Preparatyka, obróbka oraz proce
- Page 14 and 15:
0∫R = S(E)dE(2.1)pE0gdzie: S - zd
- Page 16 and 17:
∂cJ = −D(2.2)∂xgdzie: D - wsp
- Page 18 and 19:
yć wygięcie bloku krystalicznego,
- Page 20:
Stosowany w naszym eksperymencie uk
- Page 24 and 25:
natomiast drugi, w pozycji 53,58°,
- Page 26 and 27:
i 1270 K pojawiają się dodatkowe
- Page 28 and 29:
Rys. 3.8. Dyfraktogramy próbek Cz-
- Page 30 and 31:
z odpowiadającymi im krzywymi dla
- Page 32 and 33:
Fz-Si:Mn (T S = 610 K), po wygrzani
- Page 34 and 35:
3.4.1. Parametry sieci wydzieleń M
- Page 36 and 37:
zastosowanego ciśnienia hydrostaty
- Page 38 and 39:
4. Badania próbek Si:Mn z zastosow
- Page 40 and 41:
to ilość wystarczająca dla uzysk
- Page 42 and 43:
4.2.2. Wpływ temperatury wygrzewan
- Page 44 and 45:
Rys. 4.5. Profile głębokościowe
- Page 46 and 47:
Rys. 4.7. Profile głębokościowe
- Page 48 and 49:
Profile głębokościowe Mn dla pr
- Page 50 and 51:
5. Badanie struktury defektowej Si:
- Page 52 and 53:
W praktyce dużo wygodniejsze jest
- Page 54 and 55:
Dyfraktometr Philips MRD wyposażon
- Page 56 and 57:
zachodzi zjawisko dyfrakcji, można
- Page 58 and 59:
dyfrakcyjnej. Pomiar krzywej odbić
- Page 60 and 61:
Rys. 5.9. Schemat mapowania węzła
- Page 62 and 63:
Występowanie defektów punktowych
- Page 64 and 65:
temperatury, a także ciśnienia. R
- Page 66 and 67:
Rys. 5.12. Mapy węzła 004 sieci o
- Page 68 and 69:
w płaszczyznach {110} dość dobrz
- Page 70 and 71:
Rys. 5.15. Mapy węzła 004 sieci o
- Page 72 and 73: Rys. 5.18. Mapy węzła 004 sieci o
- Page 74 and 75: Wykonane symulacje numeryczne map w
- Page 76 and 77: Rys. 6.1. Ogólny schemat budowy tr
- Page 78 and 79: próbkom wygrzewanym w ciśnieniu p
- Page 80 and 81: o wielkości do kilkudziesięciu nm
- Page 82 and 83: (a) (b) (c)Rys. 6.5. Zdjęcia TEM d
- Page 84 and 85: → →Π (m, n) - bezwymiarowy czy
- Page 86 and 87: Zmienna C jest tzw. „siłą” de
- Page 88 and 89: Wilsona był obecny. Zatem podjęto
- Page 90 and 91: Obliczone i przedstawione w tabeli
- Page 92 and 93: propagacji promieniowania rentgenow
- Page 94 and 95: Si:Mn, pokazano, że dla próbek ni
- Page 96 and 97: Rys. 8.1. Dyfraktogramy I(2θ/ω) w
- Page 98 and 99: Rys. 8.4. Dyfraktogramy I(2θ/ω) w
- Page 100 and 101: Rys. 8.5. Dyfraktogram I(2θ/ω) wo
- Page 102 and 103: na to, że przyczyną takiego stanu
- Page 104 and 105: 9.2. Wyniki pomiarów magnetycznych
- Page 106 and 107: Rys. 9.3. Krzywe namagnesowania (zn
- Page 108 and 109: Rys. 9.4. Krzywe namagnesowania (be
- Page 110 and 111: wynika, że parametry sieci wydziel
- Page 112 and 113: emitowanego promieniowania charakte
- Page 114 and 115: Ważną obserwacją okazało się,
- Page 116 and 117: którym określono liczbę, rodzaj
- Page 118 and 119: Badanie rentgenowskiego rozpraszani
- Page 120 and 121: Literatura[1] T. Dietl, Postępy Fi
- Page 124 and 125: [73] M. A. Krivoglaz, „Theory of
- Page 126 and 127: [113] M. Klepka, „Wyznaczanie sk
- Page 128 and 129: 10. A. Misiuk, A. Barcz, J. Bąk-Mi
- Page 130: 27. E. Dynowska, J. Bąk-Misiuk, P.