Wpływ warunków wygrzewania na strukturę defektowÄ krzemu ...

Inny przypadek ma miejsce dla próbek Fz-Si implantowanych Mn + do gorącegopodłoża oraz wygrzewanych w temperaturach 1070 i 1270 K (rys. 5.18 (b) i (c)). Po procesiewygrzewania w podwyższonym ciśnieniu widać pewną zmianę kształtu rozpraszaniadyfuzyjnego w stosunku do próbki wygrzanej w ciśnieniu atmosferycznym. Jednak dla obumap, kształt izokonturów rozpraszania w dalszym ciągu odpowiada strukturze defektowejw postaci pętli dyslokacyjnych, a widoczne różnice w zakresach izokonturów związane sąprawdopodobnie ze zniszczeniem powierzchni w wyniku wysokociśnieniowegowygrzewania.5.2.7. Wpływ czasu wygrzewania na rozpraszanie dyfuzyjne dla próbek Si:MnPróbki Si:Mn wygrzane w czasie t A = 5 i 10 h były także przedmiotem badańdyfrakcyjnych w celu analizy rozpraszania dyfuzyjnego wokół węzła 004 Si. Jednakw zdecydowanej większości przypadków nie obserwowano żadnych istotnych zmianw kształcie izokonturów, podobnie jak w przypadku wygrzewania w podwyższonymciśnieniu. Z przedstawionych w rozdziale 3.3.6 rozważań wynika, że wpływ czasuwygrzewania na strukturę krystaliczną próbek Si:Mn jest znikomy. W przypadku rozpraszaniadyfuzyjnego, nie zauważono także żadnej zależności. Mając na uwadze wyniki badańdyfrakcyjnych w geometrii poślizgowej z rozdziału 3.3.6, można przyjąć, że strukturadefektowa Si:Mn kształtuje się zasadniczo w ciągu pierwszej godziny wygrzewania.5.3. Podsumowanie wyników badań struktury defektowej otrzymanych dziękianalizie rozpraszania dyfuzyjnego dla próbek Si:MnPrzeprowadzono pomiary mające na celu uzyskanie dyfrakcyjnych map węzła 004 Sisieci odwrotnej dla trzech grup próbek Si:Mn. Na podstawie izokonturów rozpraszaniadyfuzyjnego określono zmiany w strukturze defektowej tych próbek w zależnościod warunków implantacji oraz poimplantacyjnego wygrzewania.Z analizy otrzymanych map wynika, że: Po procesie implantacji a także po wygrzaniu w temperaturach do 870 K występująpoimplantacyjne naprężenia sieci krystalicznej. Wygrzewanie w wyższych temperaturachpowoduje zanikanie tych naprężeń, co prawdopodobnie spowodowane jestuporządkowaniem struktury krystalicznej.- 73 -