Aufbau einer gepulsten Quelle polarisierter Elektronen - Institut für ...
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4.2 Phasenaufgelöste Messung des Pulsprofils 79<br />
4.1.3 Ausheizen<br />
Alle Bulk-Photokathoden werden vor der Bedampfung mit Cäsium und Sauerstoff<br />
in der Präparationskammer für ca. eine Stunde bei 600 o C ausgeheizt. Die Strained-<br />
Layer-Photokathoden werden wegen der Empfindlichkeit der dünnen Schicht vor<br />
der ersten Präparation nur auf 500 o C erhitzt, um die Arsen-Schutzkappe zu entfernen.<br />
Bei weiteren Präparationen muß der durch die jeweils vorige Präparation aufgedampfte<br />
Sauerstoff entfernt werden. Deswegen werden die Kristalle dann kurzzeitig<br />
auf 580 o C erhitzt.<br />
4.1.4 Kristallpräparation mit Cäsium und Sauerstoff<br />
Alle Kristalle wurden mit Cäsium und Sauerstoff in der sog. YoYo-Technik präpariert.<br />
Während des Präparationsprozesses wird die Quantenausbeute des Kristalls<br />
kontinuierlich durch Beleuchten mit einem Helium-Neon-Laser und Messen des<br />
Photostroms kontrolliert. Der Kristall wird zuerst durch Heizen des Cäsiumdispensers<br />
mit Cäsium bedampft (siehe auch Abbildung 3.17 (a) auf Seite 53). Nach<br />
Durchlaufen des Quantenausbeutemaximums wird solange weiter bedampft, bis die<br />
Quantenausbeute wieder auf ein Drittel ihres Maximalwerts abgefallen ist (Übercäsierung).<br />
Dann wird der Cäsiumdispenser abgeschaltet und das Sauerstoffventil so<br />
weit geöffnet, daß der Sauerstoffpartialdruck (O 2 , m = 32) auf ca. 210 ;10 mbar<br />
ansteigt. Nach etwa 30 Sekunden durchläuft die Quantenausbeute ein weiteres Maximum.<br />
Mit Sauerstoff wird nicht überpräpariert. Die abwechselnde Anwendung<br />
von Cäsium und Sauerstoff wird zehn- bis fünfzehnmal wiederholt, bis keine wesentliche<br />
Steigerung des Maximalwerts der Quantenausbeute mehr festgestellt wird.<br />
Auf diese Art werden bei Bulk-GaAs Kathoden typischerweise Quantenausbeuten<br />
um 15 % bei 633 nm und 7 % im Polarisationsmaximum bei 850 nm erzielt.<br />
Zur Berechnung der Quantenausbeute wird in dieser Arbeit die auf die Kristalloberfläche<br />
auftreffende Lichtintensität verwendet. Die Reflektion an den beiden Grenzflächen<br />
des Eintrittsfensters der Vakuumkammer wird durch Multiplikation der vor<br />
dem Fenster gemessenen Intensität mit 0.96 2 berücksichtigt. Zum Vergleich mit der<br />
Theorie [45, 16, 46] muß von diesem Wert der an der Kristalloberfläche reflektierte<br />
Anteil (ca. 30 %) abgezogen werden.<br />
4.2 Phasenaufgelöste Messung des Pulsprofils<br />
Um das Intensitätsprofil zu bestimmen, werden die <strong>Elektronen</strong>pulse über die<br />
Eintrittsblende des Spektrometers bewegt, und der durch die Blende transmittierte<br />
Strom mit dem Faradaycup gemessen (s. Kapitel 3).