Aufbau einer gepulsten Quelle polarisierter Elektronen - Institut für ...
Aufbau einer gepulsten Quelle polarisierter Elektronen - Institut für ...
Aufbau einer gepulsten Quelle polarisierter Elektronen - Institut für ...
Sie wollen auch ein ePaper? Erhöhen Sie die Reichweite Ihrer Titel.
YUMPU macht aus Druck-PDFs automatisch weboptimierte ePaper, die Google liebt.
98 Kapitel 5. Experimente und Ergebnisse<br />
Die Spinrelaxationszeit von 58.81.4 ps wurde mit Messungen des Hanle-Effekts<br />
in Ref. [40] verglichen, aus denen ebenfalls die Spinrelaxationszeit abgeleitet werden<br />
kann. Abbildung 5.7 zeigt ein Diagramm aus Ref. [40], in das der gemessene<br />
Datenpunkt eingetragen wurde (ausgefüllter Punkt). Eine gute Übereinstimmung<br />
ergibt sich mit Messungen an einem Kristall mit leicht unterschiedlichem Dotierungsgrad.<br />
5.2.3 Pulse aus dünnen Schichten<br />
Zur Untersuchung des Einflusses der Kristalldicke auf die Pulsform wurden Messungen<br />
an zwei am Ioffe <strong>Institut</strong> in St. Petersburg hergestellten Kristallen durchgeführt.<br />
Die Dicken der photoemissiven Schicht (Epilayer) betrugen 0.4 µm und 0.2<br />
µm. Ihr Kristallaufbau ist in Abbildung 5.8 skizziert. Auf einem Substrat wurde mit<br />
Epilayer<br />
Puffer<br />
Substrat<br />
d<br />
0.3 - 0.5 μm<br />
Puffer<br />
E LB<br />
E F<br />
E VB<br />
Epilayer<br />
Abbildung 5.8: Skizze des Kristallaufbaus. Durch die unterschiedliche Dotierung der Pufferschicht<br />
können <strong>Elektronen</strong> zwar vom Epilayer in die Pufferschicht gelangen,<br />
der umgekehrte Weg ist wegen der Potentialstufe aber nicht möglich.<br />
MOCVD 2 -Technik eine 0.3 bis 0.5 µm dicke Pufferlage GaAs und der Epilayer der<br />
o.a. Dicke aufgetragen. Der Epilayer besitzt eine p-Dotierung von 3-510 18 cm ;3 .<br />
Durch die geringere p-Dotierung der Pufferschicht entsteht zwischen den beiden<br />
Lagen eine Potentialstufe, die <strong>Elektronen</strong>, die in der Pufferlage und im Substrat<br />
erzeugt werden, nicht überwinden können. Die Verarmungszone zwischen Pufferlage<br />
und Epilayer ist mit 20-30 Å klein gegen die Diffusionslänge der <strong>Elektronen</strong>.<br />
Deshalb können <strong>Elektronen</strong> aus dem Epilayer praktisch ungehindert in den Puffer<br />
diffundieren, von dort aber nicht zurückkehren.<br />
Die Kristalle konnten in der Präparationskammer auf 4.5% bei 633nm (0.4µm)<br />
respektive 2.8% bei 633nm (0.2µm) aktiviert werden. Nach dem Einschleusen<br />
in die Kanone wurde die Quantenausbeute bei 850 nm bestimmt. Sie betrug<br />
0.37% (0.4µm) bzw. 0.36 % (0.2µm). Die Messung der dc-Polarisation ergab<br />
38.90.94.3 % (0.4µm) und 43.01.64.3 % (0.2µm).<br />
2 Metal-Organic Chemical Vapour Deposition
Change language