Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007
Chapitre 3 : Etude de capacités MIM à base de STO et BTO
2.4.3. Validation du plan d’expériences
Le coefficient de Student associé à l’écart-type résiduel (il n’y a pas d’écart-type fusionné
dans ce cas, l’écart-type de mesure étant nul) est t3 = 3,2.
La comparaison entre les valeurs de la température de transition relevées et estimées est
donnée dans la Figure 3-10. Le logiciel permet de prédire les valeurs de la température de
transition dans le domaine d’étude avec une erreur δ = t*σrésiduel = 79,4.
Ttransition (°C)
700
600
500
400
300
200
100
0
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
n° des échantillons
mesure
estimation
Figure 3-10 : Comparaison entre les température de transition faible/forte constante diélectrique
mesurées et estimées dans le cas du BTO.
On voit sur ce graphique que l’estimation n’est pas bonne pour les expériences de
reproductibilité. Ceci est probablement dû au fait que l’un des échantillons (n°10) est plus
épais que les deux autres. De plus, la mesure de la température de transition n’est pas réalisée
avec une grande précision. Afin d’améliorer le modèle il faudrait augmenter le nombre de
points de mesure.
La loi de variation donnée par le plan d’expériences est :
Ttr = 177 + 0,5635.T + 3,3648.IIAD + 3,1496.ICP - 0,3289.Ep Équation 3-17
Ainsi pour avoir une température de transition la plus faible possible, en vue de l’intégration
Above IC, il faut diminuer la température de dépôt ainsi que les courants d’ions et augmenter
l’épaisseur de BTO déposée.
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