Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007
Chapitre 2 : Elaboration de films minces de STO et BTO
Cette neutralisation permet également d’éviter que les surfaces isolantes atteintes par le
faisceau ne se chargent et génèrent des arcages électriques néfastes au bon fonctionnement du
procédé.
Il est important de noter qu’il s’agit d’une neutralisation d’espace du faisceau : chaque
élément de volume du faisceau est globalement neutre mais la recombinaison ions-électrons
demeure extrêmement improbable et peut être négligée [68].
4.2.4. Contrôle de l’énergie des ions
L’énergie des ions est contrôlée par les variations du potentiel électrique qu’ils subissent lors
de leur cheminement de la chambre de décharge à la cible.
Afin d’accélérer les ions, la chambre de décharge est portée à un potentiel VF par
l’intermédiaire du générateur de tension connecté entre l’anode et la terre. Le plasma contenu
dans la chambre de décharge sera porté à un potentiel presque uniforme, voisin du potentiel
d’anode (de quelques volts plus élevé que celui-ci étant donné la mobilité supérieure des
électrons devant celle des ions), ce qui assurera que tout ion simplement chargé quittant la
chambre de décharge atteindra une surface reliée à la terre avec une énergie e×VF (eV), e
représentant la charge de l’électron.
4.2.5. Procédé d’assistance ionique à la croissance
Un bombardement ionique contrôlé des revêtements en cours de croissance peut amener une
amélioration des propriétés du matériau. En effet, pour un matériau multi-composant
l’élément qui a le rendement de pulvérisation le plus élevé sera préférentiellement pulvérisé.
Ceci mènera à un écart de composition par rapport à un échantillon élaboré sans
bombardement.
On peut aussi envisager d’oxyder ou de nitrurer la couche en cours de croissance par
l’introduction d’un gaz adapté.
Dans cette étude l’assistance à la croissance est obtenue en utilisant un faisceau d’ions.
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