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Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

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tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007<br />

Chapitre 3 : <strong>Etu<strong>de</strong></strong> <strong>de</strong> <strong>capacités</strong> MIM <strong>à</strong> <strong>base</strong> <strong>de</strong> STO et BTO<br />

Avec :<br />

- dhkl, la distance <strong>en</strong>tre les plans réticulaires (hkl) du réseau cristallin.<br />

- θ, l’angle d’inci<strong>de</strong>nce <strong>de</strong>s rayons X par rapport <strong>à</strong> la surface <strong>de</strong> l’échantillon.<br />

- λ, la longueur d’on<strong>de</strong> du faisceau inci<strong>de</strong>nt.<br />

- n, un <strong>en</strong>tier qui représ<strong>en</strong>te l’ordre du mo<strong>de</strong> <strong>de</strong> diffraction.<br />

Cette condition dép<strong>en</strong>d <strong>de</strong> la distance <strong>en</strong>tre les plans réticulaires du réseau cristallin. Ainsi<br />

chaque famille <strong>de</strong> plans <strong>de</strong> distance interréticulaire dhkl est <strong>à</strong> l’origine d’un faisceau diffracté<br />

sous un angle d’inci<strong>de</strong>nce unique.<br />

L’int<strong>en</strong>sité <strong>de</strong> l’on<strong>de</strong> diffractée est mesurée par un compteur Geiger disposé symétriquem<strong>en</strong>t <strong>à</strong><br />

la source X par rapport <strong>à</strong> la normale <strong>à</strong> l’échantillon.<br />

Mo<strong>de</strong> θ θ θ θ - 2θθθθ<br />

La Figure 3-1 est une représ<strong>en</strong>tation schématique du fonctionnem<strong>en</strong>t d’un diffractomètre X.<br />

Le principe du diffractomètre θ-2θ est <strong>de</strong> fixer la source <strong>de</strong> rayons X et <strong>de</strong> faire tourner le<br />

compteur d’un angle 2θ lorsque le goniomètre qui porte l’échantillon tourne d’un angle θ. Un<br />

balayage <strong>de</strong>s angles θ est alors effectué. Lorsqu’un angle correspondant <strong>à</strong> une famille <strong>de</strong> plans<br />

(hkl) dans les conditions <strong>de</strong> Bragg est atteint, le compteur <strong>en</strong>registre une augm<strong>en</strong>tation <strong>de</strong><br />

l’int<strong>en</strong>sité réfléchie. Ainsi, la position <strong>de</strong>s pics sur un diagramme <strong>de</strong> l’int<strong>en</strong>sité réfléchie <strong>en</strong><br />

fonction <strong>de</strong> l’angle d’inci<strong>de</strong>nce θ est caractéristique du réseau cristallin.<br />

La banque <strong>de</strong> données JCPDS-ICDD rassemble les spectres <strong>de</strong> diffractions X d’échantillons<br />

<strong>de</strong> référ<strong>en</strong>ce <strong>en</strong> poudre. A partir du spectre <strong>de</strong> diffraction X expérim<strong>en</strong>tal, il est possible <strong>de</strong><br />

retrouver l’ori<strong>en</strong>tation cristalline du composé étudié. Les fiches JCPDS <strong>de</strong>s matériaux<br />

analysés (STO, BTO, Pt) sont données <strong>en</strong> annexe 3.<br />

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