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Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

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tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007<br />

Chapitre 5 : Influ<strong>en</strong>ce du procédé d’élaboration <strong>de</strong>s <strong>capacités</strong> sur leurs performances<br />

2. Influ<strong>en</strong>ce <strong>de</strong>s électro<strong>de</strong>s<br />

Lors <strong>de</strong> cette étu<strong>de</strong>, nous avons étudié l’impact <strong>de</strong> l’électro<strong>de</strong> supérieure <strong>en</strong> comparant <strong>de</strong>ux<br />

métaux : Au et Pt. Nous avons égalem<strong>en</strong>t analysé les régimes <strong>de</strong> conduction afin <strong>de</strong><br />

déterminer les hauteurs <strong>de</strong> barrière propres aux interfaces Pt/STO et Au/STO.<br />

2.1. Préparation <strong>de</strong>s échantillons.<br />

Des empilem<strong>en</strong>ts métal/STO/Pt/TiO2/SiO2/Si ont été réalisés pour cette étu<strong>de</strong> <strong>en</strong> utilisant<br />

différ<strong>en</strong>tes variantes :<br />

• Métal d’électro<strong>de</strong>,<br />

• Enchaînem<strong>en</strong>t <strong>de</strong>s étapes <strong>de</strong> cristallisation et <strong>de</strong> dépôt <strong>de</strong> l’électro<strong>de</strong> supérieure.<br />

La moitié <strong>de</strong>s échantillons prés<strong>en</strong>te la structure Au/STO/Pt, l’autre moitié, la structure<br />

Pt/STO/Pt. Au et Pt sont déposés avec la même technique, la pulvérisation RF magnétron. Le<br />

procédé utilisé pour la définition <strong>de</strong>s <strong>capacités</strong> est le lift-off (cf chapitre 2 §5.2.1).<br />

Une partie <strong>de</strong>s échantillons a subi le recuit <strong>de</strong> cristallisation du STO avant dépôt <strong>de</strong><br />

l’électro<strong>de</strong> supérieure, l’autre a subi ce même recuit après dépôt <strong>de</strong> l’électro<strong>de</strong> supérieure.<br />

Tous les échantillons ont subi une <strong>de</strong>rnière étape <strong>de</strong> recuit <strong>de</strong> « guérison » <strong>à</strong> 450°C sous air<br />

p<strong>en</strong>dant 30 min.<br />

Notons que l’épaisseur <strong>de</strong> STO déposée par IBS est <strong>de</strong> 45 nm. Tous les échantillons étudiés<br />

dans cette partie auront donc la même épaisseur.<br />

2.2. C(V)<br />

Les caractéristiques C(V) ont été mesurées <strong>à</strong> 1kHz et sur un intervalle <strong>de</strong> t<strong>en</strong>sion [-3V ;3V]<br />

(soit un intervalle <strong>de</strong> champ électrique [-0,67 MV/cm ;0,67 MV/cm]).<br />

La Figure 5-10 montre l’évolution <strong>de</strong> la capacité surfacique avec le champ électrique appliqué<br />

<strong>de</strong>s échantillons pour lesquels l’électro<strong>de</strong> supérieure, Au ou Pt, a été déposée sur le STO<br />

amorphe, avant le recuit <strong>de</strong> cristallisation.<br />

Avant le recuit <strong>de</strong> guérison, les <strong>de</strong>ux échantillons prés<strong>en</strong>t<strong>en</strong>t <strong>de</strong>s <strong>capacités</strong> surfaciques peu<br />

différ<strong>en</strong>tes : respectivem<strong>en</strong>t 15,7 nF/mm² et 16,6 nF/mm² pour une électro<strong>de</strong> supérieure <strong>en</strong> Pt<br />

et <strong>en</strong> Au <strong>à</strong> 0 V.<br />

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