Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007
Chapitre 4 : Lien entre structure cristallographique et propriétés électriques
En ce qui concerne le BTO, nous avons tenté de comprendre pourquoi les valeurs de
constante diélectrique observées sont plus faibles que les valeurs de la littérature. Nous avons
pour cela étudié en détails sa structure cristallographique. Ainsi pour un dépôt de 100 nm
d’épaisseur, le BTO présente une forte orientation (100) due à une relation d’épitaxie possible
entre le Pt (111) et le BTO (100).
Nous avons tenté de modéliser le comportement de la constante diélectrique en fonction de la
température de mesure en reprenant un modèle développé par Pertsev et al. [9]. Le modèle
basé sur les données concernant le BTO massif décrit bien l’allure générale des courbes.
Toutefois on observe une grande différence au niveau des valeurs de constante diélectrique
entre le modèle et l’expérience. Nous expliquons ce phénomène par l’influence de la faible
taille des grains sur la constante diélectrique dans le cas des couches minces comme cela a
déjà été observé auparavant.
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