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Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

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tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007<br />

Conclusion générale<br />

Conclusion générale<br />

Les travaux prés<strong>en</strong>tés dans ce mémoire concern<strong>en</strong>t l’étu<strong>de</strong> <strong>de</strong> <strong>capacités</strong> Métal/Isolant/Métal <strong>à</strong><br />

<strong>base</strong> <strong>de</strong> <strong>couches</strong> <strong>minces</strong> <strong>de</strong> SrTiO3, BaTiO3, et multi<strong>couches</strong> SrTiO3/BaTiO3, <strong>à</strong> savoir<br />

l’élaboration et la caractérisation électrique et physico-chimique <strong>de</strong>s structures.<br />

Le premier chapitre, consacré <strong>à</strong> la <strong>de</strong>scription du contexte actuel <strong>de</strong>s <strong>capacités</strong> MIM dans le<br />

mon<strong>de</strong> <strong>de</strong> la microélectronique, a permis <strong>de</strong> mettre <strong>en</strong> évi<strong>de</strong>nce les <strong>en</strong>jeux technologiques<br />

suivants : diminution <strong>en</strong> taille et intégration croissante <strong>de</strong>s composants. L’évolution <strong>de</strong>s<br />

diélectriques est donc nécessaire et passe par l’étu<strong>de</strong> <strong>de</strong> nouveaux matériaux (forte<br />

permittivité) et <strong>de</strong> nouvelles structures (multi<strong>couches</strong>). Le développem<strong>en</strong>t <strong>de</strong> nouvelles<br />

approches telles que l’approche Above IC (intégration <strong>de</strong>s niveaux passifs au-<strong>de</strong>ssus <strong>de</strong>s<br />

niveaux actifs sur la même puce) permet égalem<strong>en</strong>t d’intégrer toujours plus <strong>de</strong> composants<br />

avec toutefois certaines contraintes et principalem<strong>en</strong>t une température maximale d’élaboration<br />

<strong>de</strong> 400°C afin <strong>de</strong> ne pas dégra<strong>de</strong>r les niveaux inférieurs.<br />

Les matériaux pérovskites <strong>à</strong> forte constante diélectrique, SrTiO3 et BaTiO3, se trouvant au<br />

cœur <strong>de</strong> cette étu<strong>de</strong> ont été prés<strong>en</strong>tés dans le <strong>de</strong>uxième chapitre. La technique <strong>de</strong> dépôt<br />

utilisée pour déposer ces matériaux, la pulvérisation par faisceaux d’ions ainsi que<br />

l’élaboration <strong>de</strong>s empilem<strong>en</strong>ts MIM ont égalem<strong>en</strong>t été abordées.<br />

Le troisième chapitre concerne l’optimisation <strong>de</strong>s dépôts <strong>de</strong> STO et BTO <strong>à</strong> l’ai<strong>de</strong> <strong>de</strong> plans<br />

d’expéri<strong>en</strong>ces afin d’obt<strong>en</strong>ir la constante diélectrique la plus élevée et ce pour <strong>de</strong>s<br />

températures d’élaboration les plus faibles possibles <strong>en</strong> vue <strong>de</strong> l’intégration <strong>de</strong>s structures<br />

MIM sur les circuits intégrés. Des valeurs <strong>de</strong> constante diélectrique <strong>de</strong> l’ordre <strong>de</strong> 100 pour le<br />

STO et 80 pour le BTO ont été obt<strong>en</strong>ues <strong>en</strong> conservant <strong>de</strong>s températures <strong>de</strong> recuit inférieures<br />

<strong>à</strong> 400°C, facteur prépondérant dans le cadre d’une approche Above IC. Cette étu<strong>de</strong> a permis<br />

<strong>de</strong> montrer que, parmi tous les paramètres <strong>de</strong> dépôt (t<strong>en</strong>sion et courant du canon <strong>à</strong> ions<br />

principal, t<strong>en</strong>sion et courant du canon <strong>à</strong> ions d’assistance, taux d’oxygène dans le bâti et<br />

température <strong>de</strong> dépôt), la température <strong>de</strong> dépôt est le plus important.<br />

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