Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007
Chapitre 5 : Influence du procédé d’élaboration des capacités sur leurs performances
Jfuite (A/cm²)
-0,80
Inj via Esup
-0,60
-0,40
-0,20
1,E-02
1,E-03
1,E-04
1,E-05
1,E-06
1,E-07
1,E-08
1,E-09
0,00
25C
50C
75C
100C
125C
0,20
Champ Electrique Appliqué (MV/cm)
Figure 5-14 : Evolution des courants de fuite avec le champ appliqué pour différentes températures -
cas de la structure Pt/STO/Pt.
Pour des valeurs de champ électrique faibles (inférieures à 0,3 MV/cm), le niveau des
courants de fuite reste globalement plus important pour la structure Pt/STO/Pt, et l’effet de la
température est moins marqué que pour la structure Au/STO/Pt. Dans cette gamme de
fonctionnement, le transport est essentiellement contrôlé par les porteurs présents aux
interfaces métal/STO et/ou dans le volume du STO.
Jfuite (A/cm²)
-0,80
Inj via Esup
-0,60
-0,40
-0,20
1,E-02
1,E-03
1,E-04
1,E-05
1,E-06
1,E-07
1,E-08
1,E-09
0,00
25C
50C
75C
100C
125C
0,20
Champ Electrique Appliqué (MV/cm)
Figure 5-15 : Evolution des courants de fuite en fonction du champ appliqué pour différentes
températures pour la structure Au/STO/Pt.
Pour les valeurs de champ électrique supérieures à 0,3 MV/cm, l’effet de la température est
plus marqué et il faut considérer la nature de l’électrode par laquelle on injecte les électrons.
Lors de l’injection via l’électrode inférieure (toujours en Pt), les caractéristiques sont
similaires : pentes équivalentes et courants de fuite du même ordre de grandeur (environ
0,40
0,40
0,60
0,60
0,80
0,80
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