03.07.2013 Views

Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007<br />

Chapitre 2 : Elaboration <strong>de</strong> films <strong>minces</strong> <strong>de</strong> STO et BTO<br />

sans polluer les substrats. Un thermocouple placé sur le porte-substrat permet <strong>de</strong> connaître<br />

approximativem<strong>en</strong>t la température <strong>de</strong> l’échantillon.<br />

La capacité maximale <strong>de</strong> traitem<strong>en</strong>t dans la chambre <strong>de</strong> dépôt d’un volume <strong>de</strong> 1 m 3 est <strong>de</strong> 4<br />

plaques <strong>de</strong> 200 mm par expéri<strong>en</strong>ce.<br />

Le dispositif comporte égalem<strong>en</strong>t une baie <strong>de</strong> comman<strong>de</strong> permettant <strong>de</strong> comman<strong>de</strong>r et régler<br />

le débit <strong>de</strong>s gaz dans l’<strong>en</strong>ceinte, le canon <strong>de</strong> pulvérisation et le canon d’assistance, <strong>de</strong> choisir<br />

la cible et la température <strong>de</strong> l’<strong>en</strong>ceinte selon les besoins.<br />

4.3.2. Paramètres <strong>de</strong> dépôt<br />

Les débits gazeux sont choisis <strong>de</strong> façon <strong>à</strong> limiter la pression <strong>de</strong> travail et donc les interactions<br />

<strong>en</strong>tre les faisceaux et le gaz résiduel, tout <strong>en</strong> assurant un fonctionnem<strong>en</strong>t correct <strong>de</strong>s sources<br />

(courant ionique suffisant).<br />

Afin <strong>de</strong> ne pas dégra<strong>de</strong>r le porte-échantillon, la température <strong>de</strong> chauffage <strong>de</strong> la source est<br />

limitée <strong>à</strong> 150°C pour éviter la dilatation <strong>de</strong>s pièces.<br />

La pulvérisation <strong>de</strong>s cibles <strong>de</strong> pérovskites est assurée par <strong>de</strong>s ions Xe + . La t<strong>en</strong>sion électrique<br />

<strong>de</strong> décharge est choisie <strong>de</strong> façon <strong>à</strong> augm<strong>en</strong>ter la probabilité d’ionisation du gaz sans pour<br />

autant créer d’ions doublem<strong>en</strong>t chargés. Elle sera <strong>de</strong> 55 V <strong>en</strong>viron pour du xénon.<br />

5. Réalisation <strong>de</strong>s <strong>capacités</strong> MIM<br />

5.1. L’empilem<strong>en</strong>t<br />

L’empilem<strong>en</strong>t complet est schématisé <strong>en</strong> Figure 2-24. Le matériau pérovskite (BTO ou STO)<br />

est déposé sur un substrat composé <strong>de</strong> quatre <strong>couches</strong> :<br />

• Le support,<br />

• La barrière <strong>de</strong> diffusion,<br />

• La couche d’accroche,<br />

• L’électro<strong>de</strong> inférieure.<br />

On dépose <strong>en</strong>suite sur le diélectrique l’électro<strong>de</strong> supérieure <strong>en</strong> platine ou <strong>en</strong> or.<br />

75

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!