Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007
Chapitre 4 : Lien entre structure cristallographique et propriétés électriques
Enfin un échantillon en cours de transition a été choisi afin d’expliquer l’évolution de la
structure cristalline du STO au cours de cette transition (phase pérovskite ou autre phase ?).
Tableau 4-1 : Echantillons sélectionnés pour une étude plus détaillée.
n° dépôt Tdépôt Trecuit Remarques
1 25°C non recuit amorphe
300°C juste avant la transition
312°C pendant la transition
321°C juste après la transition
450°C sur le pallier
2 150°C non recuit amorphe
375°C juste avant la transition
450°C juste après la transition
550°C Sur le pallier
1.1.2. Caractérisation par DRX
Les échantillons sélectionnés ont été analysés par diffraction X. Dans la Figure 4-2 et la
Figure 4-3 représentant les spectres de diffraction en mode θ-2θ pour les dépôts n°1 et 2,
respectivement, les courbes ont été décalées les unes par rapport aux autres pour permettre
une meilleure lecture.
Log (Counts)
1e7
1e6
1e5
1e4
1000
100
10
P34 recuit 450°C
P34 recuit 321°C
P34 recuit 312°C
P34 recuit 300°C
P34 non recuit
STO 110
Si
Pt + STO 111
Pt + STO 200 STO 211
11 20 30 40 50 60 70 80 90 100
2-Theta - Scale
Si
Si 400
Pt + STO 311
STO 310
Pt + STO 222
STO 321
Figure 4-2 : Spectres de diffraction en mode θ-2θ des échantillons de STO déposé à température ambiante
(dépôt n°1) pour différentes températures de recuit.
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