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Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

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tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007<br />

Chapitre 5 : Influ<strong>en</strong>ce du procédé d’élaboration <strong>de</strong>s <strong>capacités</strong> sur leurs performances<br />

Leakage Curr<strong>en</strong>t (A/cm²)<br />

1,E-02<br />

1,E-03<br />

1,E-04<br />

1,E-05<br />

1,E-06<br />

1,E-07<br />

1,E-08<br />

1,E-09<br />

0,0<br />

20 nm STO after curing<br />

50 nm STO after curing<br />

0,5<br />

Electric Field (MV/cm)<br />

Figure 5-5 : Comparaison <strong>de</strong>s courants <strong>de</strong> fuite <strong>en</strong> fonction du champ électrique appliqué pour les <strong>de</strong>ux<br />

épaisseurs <strong>de</strong> STO.<br />

Des observations MEB <strong>de</strong> la surface du STO ont été réalisées sur les <strong>de</strong>ux échantillons<br />

d’épaisseurs différ<strong>en</strong>tes (Figure 5-6).<br />

Figure 5-6 : Observations MEB <strong>de</strong> la surface <strong>de</strong> l’empilem<strong>en</strong>t STO/Pt/TiO2/SiO2, a) 20 nm STO, b) 50 nm<br />

STO.<br />

Ces observations montr<strong>en</strong>t que la rugosité <strong>de</strong>s joints <strong>de</strong> grains augm<strong>en</strong>te avec l’épaisseur <strong>de</strong><br />

STO déposée : la surface du STO <strong>de</strong> 20 nm est homogène (le matériau est cristallisé mais les<br />

joints <strong>de</strong> grains ne sont pas visibles) alors que l’échantillon <strong>de</strong> 50nm <strong>de</strong> STO dévoile <strong>de</strong>s<br />

grains bi<strong>en</strong> définis avec <strong>de</strong>s joints <strong>de</strong> grains clairem<strong>en</strong>t visibles.<br />

Notons que sur les <strong>de</strong>ux images, la rugosité intra-grain est due <strong>à</strong> la métallisation effectuée<br />

pour les observations MEB.<br />

1,0<br />

a b<br />

185

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