Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007
Chapitre 2 : Elaboration de films minces de STO et BTO
4.3. Procédé de dépôt
4.3.1. Description du dispositif
Le bâti utilisé pour cette étude est un bâti Oxford 500 qui permet de réaliser des dépôts par
pulvérisation par faisceau d’ions assistée par faisceau d’ions, ou Dual Ion Beam Sputtering
(DIBS).
Il est constitué :
• D’un canon à ions de pulvérisation principal,
• D’un canon à ions d’assistance dirigé vers le porte-substrat,
• D’un groupe de pompage constitué de deux pompes primaires à palettes et de deux
pompes secondaires cryogéniques,
• D’un système de chauffage par lampe jusqu’à 150°C,
• D’un système d’étuvage par résistances chauffantes et de refroidissement par
circulation d’eau de l’enceinte,
• De sept lignes de gaz : deux par canon, une par neutraliseur, une dans l’enceinte,
• D’un ensemble de contrôle de pression (jauge ionique à cathode chaude) et de débits
(débitmètres massiques),
• D’un porte-cible tournant à trois positions,
• D’un porte-substrat de type satellite (rotation autour de deux axes).
Un schéma ainsi qu’une photo du dispositif expérimental sont présentés en Figure 2-22 et
Figure 2-23 respectivement.
Figure 2-22 : Schéma du dispositif à double faisceau d’ions.
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