Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007
Chapitre 2 : Elaboration de films minces de STO et BTO
5.2.2. Elaboration par gravure
Dans la deuxième technique d’élaboration des condensateurs, on dépose le matériau
d’électrode (Pt) par pulvérisation sur l’ensemble de la plaque. Comme dans le cas de
l’élaboration par lift-off, de la résine positive est étalée sur le platine cette fois-ci, insolée à
travers un masque puis révélée. Le platine apparent ainsi que le high-k situé en dessous sont
ensuite gravés par usinage ionique. Cette technique consiste à bombarder l’échantillon par un
faisceau d’ions Ar + . La résine restante est ensuite éliminée à l’aide d’un plasma N2/O2.
L’ensemble du procédé est décrit dans la Figure 2-26.
Pt
High-k
Pt
TiO 2
SiO 2
Si
a) dépôt de Pt sur toute la
surface de la plaque
Pt
High-k
Pt
TiO 2
SiO 2
Si
d) développement de la
résine : les zones insolées
sont dissoutes
Figure 2-26 : Elaboration de l’électrode supérieure par usinage ionique.
5.3. Recuit de cristallisation
High-k
Le recuit de cristallisation des couches de BTO et STO élaborées par pulvérisation par
faisceau d’ions est indispensable à l’obtention des matériaux dans leur phase pérovskite. En
Pt
Pt
TiO 2
SiO 2
Si
b) étalement et cuisson de la
résine 2min à 115°C
Pt
High-k
Pt
TiO 2
SiO 2
Si
masque
e) usinage ionique : gravure
du Pt et du high-k par
bombardement d’ions
Pt
High-k
Pt
TiO 2
SiO 2
Si
c) insolation de la résine à
travers un masque
Pt
High-k
UV
Pt
TiO 2
SiO 2
Si
f) retrait de la résine restante
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