Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007
Chapitre 5 : Influence du procédé d’élaboration des capacités sur leurs performances
Cette différence ne peut pas provenir d’une différence d’épaisseur de STO, le STO ayant été
déposé sur les trois plaques en même temps. Elle ne peut pas non plus provenir d’une
différence de recuit, car pour cette étude, les recuits ont été effectués en salle blanche dans le
même four (four TTH25 présenté au chapitre 2 §5.3).
Par contre, dans les deux cas où la constante diélectrique est plus faible, les électrodes
supérieures ont été gravées avant le recuit de cristallisation. De plus, dans ces deux cas, les
échantillons ont subi une légère montée en température avant le recuit de cristallisation :
plaque chauffante à 115°C pendant deux minutes pour la plaque P17 et chauffage lors de
l’usinage ionique (température indéterminée) pour la plaque P19.
3.3.3. Caractérisation physico-chimique
Des analyses de diffraction X ont été menées sur les trois échantillons afin d’étudier la
cristallisation du STO. Les spectres de diffraction en mode θ-2θ sont présentés en Figure
5-21. Il ne semble pas montrer de différences flagrantes entre les échantillons. Tous les trois
sont cristallisés dans la phase pérovskite cubique du STO. Il n’y a pas de différence
d’orientation cristalline notable entre les trois plaques.
On observe également les pics caractéristiques du Pt et du Si.
Log (Counts)
2e6
1e6
1e5
1e4
1000
100
10
P17
P18
P19
Diagrames de diffraction en mode théta-2théta
STO 110
Si
Pt + STO 111
Pt + STO 200
11 20 30 40 50 60 70 80 90 100
2-Theta - Scale
STO 211
Si
Pt + STO 311
Pt + STO 222
STO 321
Figure 5-21 : Spectres de diffraction θ-2θ réalisés sur les trois échantillons
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