Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007
Chapitre 1 : Problématique
1. Historique – Evolution de la microélectronique
1.1. Avancée de la microélectronique : loi de Moore
Au cours des quarante dernières années, des progrès surprenants ont été accomplis dans les
technologies liées aux microprocesseurs, grâce à la réduction en taille des dispositifs
semiconducteurs, ayant pour résultat une augmentation constante du nombre de composants
par puce. Devant cette évolution extrêmement rapide on a cherché à formuler des hypothèses
sur le progrès de leurs performances. Ainsi Gordon Moore, cofondateur de la société Intel,
avait affirmé en 1965 au cours d’une conférence de presse, que "le nombre de transistors par
circuit de même taille va doubler tous les 18 mois" [1]. Cette affirmation a marqué les esprits,
puisqu'elle est devenue un défi à tenir pour les fabricants de microprocesseurs, et plus
particulièrement pour Intel. Comme le montre la Figure 1-1, la loi de Moore est suivie depuis
étonnamment longtemps [2].
Cette croissance a été basée sur une optimisation soigneusement développée et de plus en plus
complexe d'un ensemble relativement restreint de matériaux et de processus en corrélation,
mais sans révolution majeure dans la conception fondamentale des dispositifs, et avec
seulement des changements mineurs dans les matériaux constitutifs de base (à l’exception
notable de l’introduction du cuivre pour diminuer la résistance de ligne).
Figure 1-1 : Graphique montrant la croissance continuelle dans la densité de dispositifs en parallèle avec
la diminution de la taille des motifs de lithographie. [2]
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