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Etude de capacités en couches minces à base d'oxydes métalliques ...

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tel-00141132, version 1 - 11 Apr 2007<br />

Chapitre 6 : Capacités MIM STO/BTO<br />

Le matériau semble homogène et sans cavité dans les <strong>couches</strong> et aux interfaces. Néanmoins,<br />

on observe un léger contraste <strong>à</strong> l’interface STO/Pt suggérant la prés<strong>en</strong>ce d’inclusions <strong>de</strong> faible<br />

<strong>de</strong>nsité. On observe sur la Figure 6-17 que l’interface STO/Pt moins <strong>de</strong>nse a une épaisseur <strong>de</strong><br />

6 nm <strong>en</strong>viron. Si cette couche interfaciale est conservée après recuit, cela pourrait expliquer,<br />

<strong>en</strong> partie, les valeurs <strong>de</strong> constante diélectrique peu élevées et confirmer le modèle <strong>de</strong> la<br />

couche interfaciale prés<strong>en</strong>té au chapitre 5.<br />

Figure 6-16 : Clichés <strong>de</strong> micro-diffraction obt<strong>en</strong>ues dans le multicouche (STO/BTO)2.<br />

La Figure 6-16 prés<strong>en</strong>te les résultats <strong>de</strong> l’analyse <strong>de</strong> micro-diffraction effectuée sur notre<br />

empilem<strong>en</strong>t. Le Si(110) a été utilisé comme référ<strong>en</strong>ce pour calculer les distances <strong>en</strong>tre plans<br />

atomiques sur les différ<strong>en</strong>tes figures <strong>de</strong> micro-diffraction.<br />

La distance correspondant <strong>à</strong> l’anneau qu’on observe sur les clichés <strong>de</strong> micro-diffraction se<br />

situe <strong>en</strong>tre 3,02 Å et 3,12 Å. L’anneau observé est diffus et la variation <strong>de</strong> paramètre peut être<br />

associé au fait que STO et BTO ont <strong>de</strong>s paramètres <strong>de</strong> maille différ<strong>en</strong>ts une fois cristallisés.<br />

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